| 发明名称 | 晶片级半导体装置连接器 | ||
| 摘要 | 本文档尤其论述一种半导体连接器，其包含位于电介质的表面上的凹入衬垫区域中的导电衬垫，电介质材料经配置以使用激光烧蚀而被激活成导电镀敷沉积。 | ||
| 申请公布号 | CN102097408A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN201010536075.3 | 申请日期 | 2010.10.28 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 乔切尔·P·戈麦斯 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 一种半导体连接器设备，其包括：电介质，其具有第一电介质表面和与所述第一电介质表面相对的第二电介质表面，所述电介质经配置以使用激光烧蚀而被激活成导电镀敷沉积；以及位于所述第一电介质表面中的凹入衬垫区域中的导电衬垫，所述导电衬垫经配置以将半导体裸片的至少一个触点耦合到引线框的至少一个端子。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||