发明名称 |
形成具有排热结构的垂直结构发光二极管的方法 |
摘要 |
本发明揭露一种形成具有排热结构的垂直结构发光二极管(LED)的方法,包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上沉积多个凸部,其高度为p;c)形成具有多个凹部的缓冲层,凹部的深度q小于p,以致当凸部容纳于缓冲层的凹部时,在其间形成多个间隙;d)在缓冲层上生长多个发光层,具有形成于发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透发光层和缓冲层来形成排热用的通道;f)通过准分子激光剥离(LLO)来移除蓝宝石基板和凸部;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。 |
申请公布号 |
CN102097558A |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN201010175007.9 |
申请日期 |
2010.05.14 |
申请人 |
华新丽华股份有限公司 |
发明人 |
陈学龙;枫政国;张简庆华;陈彰和 |
分类号 |
H01L33/12(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/12(2010.01)I |
代理机构 |
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 |
代理人 |
孙皓晨 |
主权项 |
一种形成具有排热结构的垂直结构发光二极管(LED)的方法,其特征在于,包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上沉积复数个凸部,其高度为p;c)形成具有复数个凹部的缓冲层,所述凹部的深度q小于p,以致当凸部容纳于缓冲层的凹部时,在其间形成复数个间隙,以利排热;d)在缓冲层上生长复数个发光层,具有形成于复数个发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透复数个发光层和缓冲层来形成通道,以利排热;f)通过准分子激光剥离来移除蓝宝石基板和凸部;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。 |
地址 |
中国台湾326桃园县杨梅镇高山里高狮路566-3号 |