发明名称 形成具有排热结构的垂直结构发光二极管的方法
摘要 本发明揭露一种形成具有排热结构的垂直结构发光二极管(LED)的方法,包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上沉积多个凸部,其高度为p;c)形成具有多个凹部的缓冲层,凹部的深度q小于p,以致当凸部容纳于缓冲层的凹部时,在其间形成多个间隙;d)在缓冲层上生长多个发光层,具有形成于发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透发光层和缓冲层来形成排热用的通道;f)通过准分子激光剥离(LLO)来移除蓝宝石基板和凸部;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。
申请公布号 CN102097558A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN201010175007.9 申请日期 2010.05.14
申请人 华新丽华股份有限公司 发明人 陈学龙;枫政国;张简庆华;陈彰和
分类号 H01L33/12(2010.01)I 主分类号 H01L33/12(2010.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人 孙皓晨
主权项 一种形成具有排热结构的垂直结构发光二极管(LED)的方法,其特征在于,包括以下步骤:a)提供蓝宝石基板;b)在蓝宝石基板上沉积复数个凸部,其高度为p;c)形成具有复数个凹部的缓冲层,所述凹部的深度q小于p,以致当凸部容纳于缓冲层的凹部时,在其间形成复数个间隙,以利排热;d)在缓冲层上生长复数个发光层,具有形成于复数个发光层和缓冲层间的介质层;e)蚀刻穿透复数个发光层和缓冲层来形成通道,以利排热;f)通过准分子激光剥离来移除蓝宝石基板和凸部;g)粗化介质层;以及h)在粗化的介质层上沉积电极。
地址 中国台湾326桃园县杨梅镇高山里高狮路566-3号