发明名称 原位等离子体涂镀Ti/Cu复合涂层工艺
摘要 本发明所提供的原位等离子体涂镀Ti/Cu复合涂层工艺属于低温等离子体材料表面处理技术领域。通过原位等离子体沉积技术在基体表面制备符合技术要求的Ti/Cu复合膜层。本工艺主要包括:待处理工件化学清洗;工件烘烤除气;辉光清洗;复合涂层制备等处理步骤。通过本发明,在工件表面沉积的复合涂层纯度高,表面光洁度好(Ra<1.6μm),涂层均匀致密,界面处无孔隙,膜/基结合牢固,符合相关工艺要求。本发明可用于包括聚变堆面对等离子体第一壁材料的复合涂层制备。
申请公布号 CN102094173A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN200910250282.X 申请日期 2009.12.11
申请人 核工业西南物理研究院 发明人 沈丽如;陈庆川;许泽金;金凡亚;陈美艳;谌继明;张年满
分类号 C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I 主分类号 C23C14/14(2006.01)I
代理机构 核工业专利中心 11007 代理人 高尚梅
主权项 一种原位等离子体涂镀Ti/Cu复合涂层工艺,包括如下步骤:(1)对工件表面进行清洗去污;(2)将工件装卡到真空室工件架上,且实现公转;(3)对真空室抽真空,当真空度优于1.3×10‑2Pa时,开启加热电源进行加热烘烤,直至真空室内部和工件达到除气要求,烘烤过程结束;(4)向真空室中充入氩气,开启偏压电源,对工件进行辉光清洗;(5)开启Ti磁控溅射靶电源溅射沉积Ti涂层;(6)待Ti涂层厚度达到要求后,关闭Ti靶电源,真空度维持不变,打开Cu靶磁控溅射电源,在Ti膜表面再制备Cu过渡层;(7)镀膜工艺结束后,继续向真空室中充入氩气,待工件冷却后将工件从真空室取出。
地址 610041 四川省成都432信箱