发明名称 | CMOS图像传感器的制造方法 | ||
摘要 | 本发明的目标是提供一种CMOS图像传感器的制造方法,该方法能够防止在CMOS图像传感器中由配线升起现象引起的小丘缺陷。为此,本发明提供一种CMOS图像传感器的制造方法,包括步骤:准备其上形成有第一金属配线的基板;在第一金属配线上形成层间绝缘层;蚀刻层间绝缘层以形成暴露第一金属配线的一部分的接触孔;沿接触孔的内表面在层间绝缘层上形成缓冲层;进行热处理工艺;蚀刻缓冲层以在接触孔的内壁上形成间隔物;沿层间绝缘层的包括间隔物的内表面形成阻挡金属层;在阻挡金属层上形成接触插塞以使得接触孔被掩埋;以及在层间绝缘层上形成第二金属配线以使得第二金属配线连接到接触插塞。 | ||
申请公布号 | CN102099914A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
申请号 | CN200980122089.6 | 申请日期 | 2009.06.10 |
申请人 | 科洛司科技有限公司 | 发明人 | 表成奎 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
主权项 | 一种CMOS图像传感器的制造方法,该方法包括步骤:制备具有第一金属互连的基板;在所述第一金属互连上形成层间绝缘层;通过蚀刻所述层间绝缘层形成接触孔,以暴露所述第一金属互连的一部分;在所述层间绝缘层上以及在所述接触孔的内表面上形成缓冲层;进行退火工艺;通过蚀刻所述缓冲层在所述接触孔的侧壁上形成间隔物;在所述层间绝缘层的包括所述间隔物的表面上形成阻挡金属层;在所述阻挡金属层上形成接触插塞,使得所述接触孔被所述接触插塞填充;以及在所述层间绝缘层上形成第二金属互连,使得所述第二金属互连与所述接触插塞接触。 | ||
地址 | 美国特拉华州 |