发明名称 |
双端开关装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供双端开关装置,其特点是具有高开/关电流比和高击穿电压。这些装置可被用作在主动矩阵显示器的驱动电路中的开关,例如,用在电泳显示器、旋转元件显示器和液晶显示器中。开关装置包括两个电极和位于电极之间的宽带半导体材料层。根据一个实施例,阴极包含具有低功函的金属,阳极包含具有p+型或p++型传导性的有机材料,且宽带半导体包含金属氧化物。阴极和阳极材料之间的功函差异优选为至少约0.6eV。可实现在约15V的电压范围的至少10000的开/关电流比。如果需要,该装置可被形成在具有低熔点的柔性聚合物衬底上。 |
申请公布号 |
CN101622712B |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN200780049394.8 |
申请日期 |
2007.11.06 |
申请人 |
希百特股份有限公司 |
发明人 |
俞钢;谢泉隆;李兴中 |
分类号 |
H01L29/22(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;G02F1/1365(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/22(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李进;林森 |
主权项 |
双端开关装置,其包括:形成在衬底上的第一电极,其中所述第一电极包含具有第一功函量的第一种导电材料层;宽带半导体材料层;和包含具有第二功函量的第二种导电材料层的第二电极,其中所述第二种导电材料包含具有p+型或p++型传导性的材料;其中至少一部分半导体层位于所述第一种和第二种导电材料之间;且其中所述第一种导电材料的Fermi能级与所述半导体材料的导带的最低能级之间的能量差异不大于0.3eV;所述宽带半导体的带隙为至少2.5eV且在所述宽带半导体中的载流子浓度少于1018cm‑3;在所述第二种导电材料中的载流子浓度为至少1018cm‑3;所述第二种导电材料的功函量比所述第一种导电材料的功函量大至少0.6eV;且其中所述p+或p++导电材料的导带的最低能级与所述宽带半导体材料的导带的最低能级之间的能障小于0.3eV。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |