交换耦合型纳米点的制备方法

摘要

本发明涉及一种可应用于高密度磁存储的纳米结构材料的制备方法，具体的说是一种交换耦合型纳米点的制备方法。该方法通过衬底的制备、双层膜沉积两个工艺步骤实现，它利用自组装的纳米胶体球阵列来制备尺寸可控、结构完整的FeNi/NiO的纳米结构阵列，具有边缘结构完整、存储性能好、交换偏置效应强等优点。

主权项

一种交换耦合型纳米点的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤：①、衬底的制备，采用自组装技术制备单层呈六角密堆的胶体阵列球面衬底；②、双层膜沉积，采用溅射技术向①中制得的胶体阵列球面衬底上沉积FeNi/NiO双层膜，使得小球间隙的薄膜厚度仅为小球顶部薄膜厚度的2/3，从而获得具有交换偏置作用的交换耦合型纳米点纳。