| 发明名称 | 基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法，该振荡器包括：SOI衬底以及制作在SOI衬底上的CMOS器件；所述CMOS器件包括：NMOS器件和PMOS器件；所述NMOS器件的沟道采用(100)晶面硅材料，所述PMOS器件的沟道采用(110)晶面硅材料。该器件可以通过在混合晶向的SOI衬底上开设窗口外延底层硅，从而在(100)晶面的顶层硅和(110)外延硅层上分别制作NMOS器件和PMOS器件。本发明可以减少CMOS环形振荡器中CMOS晶体管宽度，增大集成密度，降低非门传输延迟时间，增大振荡频率。 | ||
| 申请公布号 | CN102098028A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN201010507239.X | 申请日期 | 2010.10.14 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 黄晓橹;伍青青;魏星;陈静;张苗;王曦 |
| 分类号 | H03K3/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H03K3/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器，包括：SOI衬底以及制作在SOI衬底上的CMOS器件，其特征在于：所述CMOS器件包括：NMOS器件和PMOS器件；所述NMOS器件的沟道采用(100)晶面硅，所述PMOS器件的沟道采用(110)晶面硅。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||