| 发明名称 | 保护层及薄膜晶体管矩阵基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种保护层及薄膜晶体管矩阵基板的制造方法。此保护层的制造方法包括如下步骤：放置基板于真空反应腔室内；提供氨气与氮气至真空反应腔室内；形成等离子并蒸发水汽；以及形成保护层于基板上。此保护层的制造方法可应用于薄膜晶体管矩阵基板的制造方法中，本发明可确保此保护层的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN102097313A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN201010557575.5 | 申请日期 | 2010.11.23 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 贺成明;刘凤举 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人 | 欧阳启明 |
| 主权项 | 一种保护层的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括如下步骤：放置基板于真空反应腔室内；提供氨气与氮气至所述真空反应腔室内；施加电压于所述真空反应腔室内的二个电极之间，以形成等离子并蒸发水汽；以及形成所述保护层于所述基板上。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新南一路TCL大厦A座7F | ||