发明名称 | 一种含有钛酸锂薄膜电极的光电器件及其应用 | ||
摘要 | 本发明提供一种含有钛酸锂薄膜电极的光电器件,该器件至少包括钛酸锂薄膜电极,电解质,对电极;其中,钛酸锂薄膜生长在透明导电基底上,厚度为1nm-100μm,钛酸锂薄膜中含有化学组成为Li4+xAaTi5-yO12-zBb的物质;其中:A为H、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Er、Tm、Yb、Lu、W、Pt、Au或Bi中的至少一种;B为N、P、S、Se、F、Cl、Br或I中的至少一种;x,a,y,z,b代表摩尔百分比,-4≤x≤4;0≤a≤4;0≤y≤4;0≤z≤3;0≤b≤4。 | ||
申请公布号 | CN102096262A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
申请号 | CN200910241821.3 | 申请日期 | 2009.12.09 |
申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 禹谦;汪锐;李泓;黄学杰 |
分类号 | G02F1/155(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/155(2006.01)I |
代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
主权项 | 一种含有钛酸锂薄膜电极的光电器件,其特征在于,该器件至少包括钛酸锂薄膜电极,电解质,对电极;其中,钛酸锂薄膜生长在透明导电基底上,厚度为1nm‑100μm,钛酸锂薄膜中含有化学组成为Li4+xAaTi5‑yO12‑zBb的物质,其中:A为H、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Er、Tm、Yb、Lu、W、Pt、Au或Bi中的至少一种;B为N、P、S、Se、F、Cl、Br或I中的至少一种;x,a,y,z,b代表摩尔百分比,‑4≤x≤4;0≤a≤4;0≤y≤4;0≤z≤3;0≤b≤4。 | ||
地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |