发明名称 功率半导体封装
摘要 本发明提出了一种功率半导体封装及其制备方法,包括在本体、设置在一对安装区之间的应力消除区中制备,并在每个安装区中贴装半导体晶片。该半导体晶片具有第一套和第二套电接头,所述的第一套电接头位于所述的半导体晶片的第一表面上,所述的第二套电接头位于所述的半导体晶片的第二表面上,第二表面与第一表面相对。所述的第一套电接头与所述的安装区电连接。在一对安装区的外侧形成侧壁,定义一个有形本体,有形本体和侧壁定义一个导电通路,从第一套电接头开始,延伸到封装的一侧,与第二套电接头相通。
申请公布号 CN102097346A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN201010537931.7 申请日期 2010.10.27
申请人 万国半导体股份有限公司 发明人 鲁军;弗兰茨娃·赫尔伯特
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人 王敏杰
主权项 从本体上制备一种功率半导体封装的方法,其特征在于,该方法包括:在所述的本体中,制备一个应力消除区,设置在一对安装区之间;在每个所述的安装区中,贴装一个半导体晶片,所述的半导体晶片具有第一和第二套电接头,其中所述的第一套电接头位于所述的半导体晶片的第一表面上,所述的第二套电接头位于所述的半导体晶片的第二表面上,第二表面与第一表面相对,所述的第一套电接头与所述的安装区电连接;并且在所述的一对安装区的外侧形成侧壁,定义一个有形本体,所述的有形本体和侧壁定义一个导电通路,从所述的第一套电接头开始,延伸到与所述的第二套电接头相同的封装的一侧。
地址 美国加利福尼亚州94085桑尼维尔奥克米德大道475号