发明名称 |
功率半导体封装 |
摘要 |
本发明提出了一种功率半导体封装及其制备方法,包括在本体、设置在一对安装区之间的应力消除区中制备,并在每个安装区中贴装半导体晶片。该半导体晶片具有第一套和第二套电接头,所述的第一套电接头位于所述的半导体晶片的第一表面上,所述的第二套电接头位于所述的半导体晶片的第二表面上,第二表面与第一表面相对。所述的第一套电接头与所述的安装区电连接。在一对安装区的外侧形成侧壁,定义一个有形本体,有形本体和侧壁定义一个导电通路,从第一套电接头开始,延伸到封装的一侧,与第二套电接头相通。 |
申请公布号 |
CN102097346A |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN201010537931.7 |
申请日期 |
2010.10.27 |
申请人 |
万国半导体股份有限公司 |
发明人 |
鲁军;弗兰茨娃·赫尔伯特 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
从本体上制备一种功率半导体封装的方法,其特征在于,该方法包括:在所述的本体中,制备一个应力消除区,设置在一对安装区之间;在每个所述的安装区中,贴装一个半导体晶片,所述的半导体晶片具有第一和第二套电接头,其中所述的第一套电接头位于所述的半导体晶片的第一表面上,所述的第二套电接头位于所述的半导体晶片的第二表面上,第二表面与第一表面相对,所述的第一套电接头与所述的安装区电连接;并且在所述的一对安装区的外侧形成侧壁,定义一个有形本体,所述的有形本体和侧壁定义一个导电通路,从所述的第一套电接头开始,延伸到与所述的第二套电接头相同的封装的一侧。 |
地址 |
美国加利福尼亚州94085桑尼维尔奥克米德大道475号 |