发明名称 |
在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法 |
摘要 |
一种在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法,包含以下步骤:步骤1:取一衬底,表面清洗后,放入金属有机物化学气相沉积设备的反应室中;步骤2:使用金属有机物化学气相沉积方法,在衬底上生长纳米棒的ZnO层,以用来限制后续生长GaN的二维生长;步骤3:用去离子水冲洗所生长的纳米棒的ZnO层,以清除表面的污染;步骤4:在反应室中,采用金属有机物化学气相沉积方法,使用纯N2载气在冲洗后的纳米棒的ZnO层上生长GaN纳米晶层,纳米晶的尺寸取决于纳米棒的ZnO层的直径;步骤5:在反应室中,使用N2+H2混合载气刻蚀纳米棒的ZnO层,完成无支撑的GaN纳米晶层的生长。 |
申请公布号 |
CN101245491B |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN200710063881.1 |
申请日期 |
2007.02.14 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
胡卫国;魏鸿源;焦春美;刘祥林 |
分类号 |
C30B29/38(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/38(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法,其特征在于,包含以下步骤:步骤1:取一衬底,表面清洗后,放入金属有机物化学气相沉积设备的反应室中;步骤2:使用金属有机物化学气相沉积方法,在衬底上生长纳米棒的ZnO层,以用来限制后续生长GaN的二维生长;步骤3:用去离子水冲洗所生长的纳米棒的ZnO层,以清除表面的污染;步骤4:在反应室中,采用金属有机物化学气相沉积方法,使用纯N2载气在冲洗后的纳米棒的ZnO层上生长GaN纳米晶层,纳米晶的尺寸取决于纳米棒的ZnO层的直径;步骤5:在反应室中,使用N2+H2混合载气刻蚀纳米棒的ZnO层,完成无支撑的GaN纳米晶层的生长。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |