发明名称 |
阵列基板的制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种阵列基板的制造方法,其步骤至少包括:形成复数个金属区块于一基底上的第一区域以及第二区域内;在基底上依序形成一绝缘层以及一半导体层,并覆盖于上述的复数个金属区块上;涂布一第一光阻层于基底上,并覆盖半导体层及其下方的金属区块上;利用一半色调光罩在金属区块上方形成一第一光阻图案与一第二光阻图案;移除第二光阻图案及其下方的半导体层与绝缘层,用以曝露出第二区域内的金属区块;保留第一光阻图案,并移除剩余的第一光阻层;移除未被第一光阻图案覆盖而曝露的半导体层;以及在第一区域的半导体层上形成一源极与一漏极。 |
申请公布号 |
CN101728333B |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN200810167527.8 |
申请日期 |
2008.10.10 |
申请人 |
华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
发明人 |
陆文正 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
孙长龙 |
主权项 |
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,至少包括:形成复数个金属区块于一基底上的第一区域以及第二区域内;在该基底上依序形成一绝缘层以及一半导体层,并覆盖于该些金属区块上;涂布一光阻层于该基底上,并覆盖于该半导体层及其下方的该些金属区块上;利用一半色调光罩在该些金属区块上方形成一第一光阻图案与一第二光阻图案;移除该第二光阻图案及其下方的该半导体层与该绝缘层,用以曝露出该第二区域内的该些金属区块;保留该第一光阻图案,并移除剩余的该光阻层;移除未被该第一光阻图案覆盖而曝露的该半导体层;以及在该第一区域的该半导体层上形成一源极与一漏极。 |
地址 |
215217 江苏省苏州市吴江经济开发区同里分区江兴东路88号 |