发明名称 |
一种氮化锆钛铝氮梯度硬质反应膜的制备方法 |
摘要 |
一种制备氮化锆钛铝氮梯度硬质反应膜的方法依次包括:1、沉积技术及靶材成分的确定;2、工件的选择与前处理;3、预轰击工艺的确定;4、沉积工艺的确定;5、真空加热处理;6、工件旋转。按照本发明所提出的采用锆靶和钛铝合金靶组合靶制备多弧离子镀ZrTiAlN氮梯度硬质反应膜的方法,可以获得上述的ZrTiAlN氮梯度硬质反应膜,该ZrTiAlN氮梯度硬质反应膜的氮含量呈梯度分布,附着力强(≥120N)、硬度高(≥HV3800)。本发明降低了镀膜成本,保证了高膜层硬度和高附着力的同时实现,减小膜层的内应力,并具有良好的稳定性和可重复性。 |
申请公布号 |
CN101709450B |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN200910220270.2 |
申请日期 |
2009.11.30 |
申请人 |
沈阳大学 |
发明人 |
张钧;吕会敏;崔贯英;井治;贾恒;娄军;姚正辉 |
分类号 |
C23C14/26(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/26(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳东大专利代理有限公司 21109 |
代理人 |
戚羽 |
主权项 |
一种氮化锆钛铝氮梯度硬质反应膜的制备方法,其特征是:以下使用ZrTiAlN来代替氮化锆钛铝,一种氮化锆钛铝氮梯度硬质反应膜的制备方法依次包括:(1)、沉积技术及靶材成分的确定:确定多弧离子镀作为ZrTiAlN氮梯度硬质反应膜的制备技术,选用两个不同方位且成90度配置的弧源同时起弧沉积,其中一个弧源为纯度99.99%的锆靶,另一个弧源为纯度99.99%的钛铝合金靶,钛铝合金靶的原子比为Ti∶Al=50∶50;(2)、工件的选择与前处理:选择商用硬质合金作为工件材料,在放入镀膜室进行镀膜前,使用金属洗涤剂对工件进行常规去油、去污处理并进行表面抛光处理,最后分别用丙酮和乙醇进行超声波清洗,电吹风吹干以备用;(3)、预轰击工艺的确定:指为获得多弧离子镀ZrTiAlN氮梯度硬质反应膜而在沉积之前进行的离子轰击工艺,当镀膜室背底真空达到10‑3帕、温度达到240~260℃时充入反应气体氩气,使镀膜室真空度达到1.8×10‑1~2.2×10‑1帕,开启两弧源,保持弧电流在55~56安培,进行离子轰击8~12分钟,轰击偏压从350伏逐渐增加到400伏;(4)、沉积工艺的确定:指为获得多弧离子镀技术制备ZrTiAlN氮梯度硬质反应膜而采用的沉积工艺,镀膜过程分为七个阶段,第一步,将镀膜室内的氩气压强保持在2.0×10‑1帕,钛铝合金靶和纯锆靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为200~250伏,沉积时间5分钟;第二步,向镀膜室内通入氮气,使其分压强达到0.5×10‑1帕,然后调整氩气流量,使混合气体总压强保持在2.0×10‑1帕,钛铝合金靶和纯锆靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为200~250伏,沉积时间10分钟;第三步,增大氮气流量,使其分压强达到1.0×10‑1帕,然后调整氩气流量,使混合气体总压强保持在2.0×10‑1帕,钛铝合金靶和纯锆靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为200~250伏,沉积时间15分钟;第四步,继续增大氮气流量,使其分压强达到1.5×10‑1帕,然后调整氩气流量,使混合气体总压强保持在2.0×10‑1帕,钛铝合金靶和纯锆靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为200~250伏,沉积时间15分钟;第五步,关闭氩气入口,使氩气流量为0,氩气分压为0,并继续增加氮气流量,使其压强达到2.0×10‑1帕,钛铝合金靶和纯锆靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为200~250伏,沉积时间15分钟;第六步,继续增加氮气流量,使其压强达到2.5×10‑1帕,钛铝合金靶和纯锆靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为200~250伏,沉积时间15分钟;第七步,继续增加氮气流量,使其压强达到3.0×10‑1帕,钛铝合金靶和纯锆靶的弧电流均置于55~56安培,工件偏压为200~250伏,沉积时间15分钟;(5)、真空加热处理:包括工件加热和膜层烘烤,工件加热方式采用电热体烘烤加热,在工件加热时,升温速度保持在3~5℃/分钟,1小时后达到240~260℃;膜层烘烤是指沉积过程结束后对所沉积的ZrTiAlN氮梯度硬质反应膜进行后加热烘烤,采用小电流进行微加热10~15分钟,电流逐渐从50安培降低到30安培;(6)、工件旋转:在工件加热、离子轰击、膜层沉积、膜层烘烤的整个过程中一直保持工件旋转,转速为4~6转/分钟。 |
地址 |
110044 辽宁省沈阳市大东区望花南街21号 |