可调发光半导体器件

摘要

一种可调发光半导体器件(50)，其包括至少一个纳米线(120)，该纳米线至少部分由一种或多种展示包括其能量对应于发光的光子能量的一个或多个能量跃迁的带隙特性半导体材料制造。由此该至少一种结构(120)工作时以响应流经其的电流而发光。此外，将该至少一个纳米线(120)制造的足够窄以产生与电流相关的电荷载流子的量子限制。而且，该至少一个纳米线(120)还包括电极排列(190)，该电极布置用于将电场施加到至少一个纳米线(120)，用于引起其带隙特性的弯曲，用于响应流过其的电流来调整运行中从至少一个结构(120)发出的光的波长。

主权项

一种可调发光半导体器件(50)，其包括至少一个纳米线(120)，该至少一个纳米线至少部分由至少两种半导体材料制造，该至少两种半导体材料展示包括其能量对应于发光的光子能量的一个或多个能量跃迁的带隙特性，由此该至少一种纳米线(120)工作时响应流经其的电流而发光，该至少一个纳米线(120)对于和其中将产生的电流相关的电荷载流子的量子限制是足够窄的，该至少一个纳米线(120)还包括电极排列(190，190a，190b)，该电极排列(190，190a，190b)用于将电场施加到所述至少一个纳米线(120)，用于引起其带隙特性的弯曲，用于响应于流过其的电流调整运行中从至少一个纳米线(120)发出的光的波长，该至少一个纳米线(120)包括多个相互不同组分的区域(130，140)，所述多个区域(130，140)限定了至少一个半导体结(150)，所述电极排列(190，190a，190b)包括中心电极(190)，在中心电极和衬底之间施加电势以沿着至少一个纳米线(120)在垂直于电流方向的方向上产生电场。