| 发明名称 | 具有具拉伸应变且沿着具增加的载流子迁移率的晶体学定向的沟道的晶体管 | ||
| 摘要 | 通过适当地相对于硅层(102)之结晶特性(crystallographiccharacteristic)而定向沟道长度方向，应变硅/碳材料(109)之应力引发效果在与传统的技术相比较可有明显的增进。在一个例示实施例中，该沟道(103)可沿着<100>方向予以定向以用于(100)表面定向，因此提供了大约1/4的电子迁移率的增加。 | ||
| 申请公布号 | CN101432882B | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200780014864.7 | 申请日期 | 2007.03.29 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | A·魏;I·佩多斯;T·卡姆勒 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一晶体管(100、200)，具有界定第一沟道长度方向的第一沟道区(103)，该第一沟道区(103)包括具有沿着该第一沟道长度方向定向的拉伸应变分量的结晶硅材料，该第一沟道长度方向实质上沿着晶体学<100>方向而定向；以及第二晶体管(230)，具有界定第二沟道长度方向的第二沟道区，该第二沟道长度方向相对于该第一沟道长度方向具有不同定向，且沿着非该晶体学<100>方向的第二晶体学方向而定向，其中，该第二沟道区包括具有沿着该第二沟道长度方向的压缩应变的应变硅材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||