半导体激光装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种能够实现高输出、长寿命及低动作电压的半导体激光装置及其制造方法。在基板(1)上依次层叠有第一半导体层(2)、活性层(4)、第二半导体层(6)及接触层(7)。在第二半导体层(6)及接触层(7)上，设置有在谐振器两端面间延伸的脊部(6a)。按照与脊部(6a)相接的方式形成有电流狭窄层(8a)。电流狭窄层在脊部的上表面上具有开口部。在该开口部内，形成有与接触层相接的第一电极(9)。在第一电极上形成有第二电极(10)。在谐振器端面附近的脊部的上表面上，设置有与接触层(7)相接的电流非注入部(8b)。电流狭窄层与电流非注入部由同一电介质膜(8)构成。第二电极被设置成与电流非注入部的上表面区域分开。

主权项

一种半导体激光装置，具备：基板；依次层叠在所述基板上的第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层及第二导电型接触层；设置于所述第二导电型半导体层及所述第二导电型接触层、且在谐振器两端面间延伸的脊部；与所述脊部相接、且在所述脊部的上表面上具有开口部的电流狭窄层；在所述开口部内被设置成与所述第二导电型接触层相接的第一电极；和设置在所述第一电极上的第二电极；在所述谐振器端面附近的所述脊部的所述上表面上，按照与所述第二导电型接触层相接的方式设置有电流非注入部，所述电流狭窄层与所述电流非注入部由同一电介质膜构成，所述第二电极被设置成与所述电流非注入部的上表面区域分开。