发明名称 |
碳纳米管复合结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种碳纳米管复合结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,在基底表面生长碳纳米管阵列;采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取获得一碳纳米管膜,所述碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管以及分散于所述碳纳米管膜中的催化剂颗粒;提供另一基底,并将至少一碳纳米管膜设置于该基底表面形成一第一碳纳米管结构;将所述设置有第一碳纳米管结构的基底置入反应炉中,通过化学气相沉积法在所述第一碳纳米管结构表面生长碳纳米管,形成第二碳纳米管结构得到所述碳纳米管复合结构。本发明提供的碳纳米管复合结构的制备方法简单易行,适合在工业上批量生长。 |
申请公布号 |
CN102092670A |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN201010607353.X |
申请日期 |
2010.12.27 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
姜开利;范守善 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81B7/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;H01J1/304(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种碳纳米管复合结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,在基底表面生长碳纳米管阵列;采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取获得一碳纳米管膜,所述碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管以及分散于所述第一碳纳米管结构中的催化剂颗粒;提供另一基底,并将至少一碳纳米管膜设置于该基底表面形成一第一碳纳米管结构;将所述设置有第一碳纳米管结构的基底置入反应炉中,通过化学气相沉积法在所述第一碳纳米管结构表面生长碳纳米管,形成第二碳纳米管结构得到所述碳纳米管复合结构。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |