发明名称 |
光器件晶片的加工方法 |
摘要 |
本发明提供光器件晶片的加工方法,能够在不到达光器件层的范围内容易地形成变质层,并能使器件厚度形成为预定厚度。该光器件晶片的加工方法将光器件晶片沿间隔道分割成一个个光器件,其中光器件晶片构成为在基板表面层叠有光器件层、在通过间隔道划分出的多个区域中形成了光器件,该加工方法包括:保护部件粘贴工序,在光器件晶片表面粘贴保护部件;变质层形成工序,将聚光点定位于基板内部从基板背面侧沿间隔道照射激光光线,以在基板内部在比光器件层靠背面侧位置沿间隔道形成变质层;背面磨削工序,对基板背面进行磨削以形成为预定厚度;和晶片断裂工序,对光器件晶片施加外力使光器件晶片沿形成有变质层的间隔道断裂从而分割成一个个光器件。 |
申请公布号 |
CN102097310A |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN201010551954.3 |
申请日期 |
2010.11.17 |
申请人 |
株式会社迪思科 |
发明人 |
星野仁志;能丸圭司 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
陈坚 |
主权项 |
一种光器件晶片的加工方法,其是将光器件晶片沿着间隔道分割成一个个光器件的光器件晶片的加工方法,其中所述光器件晶片构成为在基板的表面层叠有光器件层、并且在通过呈格子状地形成的多条间隔道划分出的多个区域中形成了光器件,所述光器件晶片的加工方法的特征在于,该光器件晶片的加工方法包括以下工序:保护部件粘贴工序,在该保护部件粘贴工序中,在光器件晶片的表面粘贴保护部件;变质层形成工序,在该变质层形成工序中,将聚光点定位于光器件晶片的基板的内部,从光器件晶片的基板的背面侧沿间隔道照射相对于光器件晶片的基板具有透射性的波长的激光光线,从而在基板的内部在比光器件层靠背面侧的位置沿间隔道形成变质层;背面磨削工序,在该背面磨削工序中,对实施了所述变质层形成工序的光器件晶片的基板的背面进行磨削,使光器件晶片形成为预定的厚度;以及晶片断裂工序,在该晶片断裂工序中,对实施了背面磨削工序的光器件晶片施加外力,使光器件晶片沿着形成有变质层的间隔道断裂,从而将光器件晶片分割成一个个光器件。 |
地址 |
日本东京都 |