发明名称 一种硅基长波红外光波导及其制备方法
摘要 本发明公开了一种硅基长波红外光波导及其制备方法,本发明是在普通硅片上制备出波导结构,再通过热氧化法制备出二氧化硅掩膜,然后进行二次光刻,在波导的两侧开出窗口,KOH溶液进行湿法腐蚀,通过选择合适的浓度及温度实现不同晶面的刻蚀速率,通过侧向腐蚀达到开槽的目的。利用这种方式制备的长波红外下的光波导结构简单,工艺难度小,只需要普通硅片,不用价格昂贵的SOI片,亦无须自停止腐蚀工艺实现背向深刻蚀。针对不同的波长,可以通过对结构参数的优化,可以实现低的传输损耗。
申请公布号 CN102096149A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN201110020954.5 申请日期 2011.01.19
申请人 浙江大学 发明人 李国熠;魏玉欣;周强;杨建义;王明华;江晓清
分类号 G02B6/136(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I 主分类号 G02B6/136(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 周烽
主权项 一种硅基长波红外光波导,其特征在于,它是将衬底硅(4)上的波导(1)下端面两侧利用湿法腐蚀中硅的各向异性腐蚀掏空,形成两个空气槽(2),仅保留一个梯形支撑柱(3)。
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号