发明名称 |
一种硅基长波红外光波导及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅基长波红外光波导及其制备方法,本发明是在普通硅片上制备出波导结构,再通过热氧化法制备出二氧化硅掩膜,然后进行二次光刻,在波导的两侧开出窗口,KOH溶液进行湿法腐蚀,通过选择合适的浓度及温度实现不同晶面的刻蚀速率,通过侧向腐蚀达到开槽的目的。利用这种方式制备的长波红外下的光波导结构简单,工艺难度小,只需要普通硅片,不用价格昂贵的SOI片,亦无须自停止腐蚀工艺实现背向深刻蚀。针对不同的波长,可以通过对结构参数的优化,可以实现低的传输损耗。 |
申请公布号 |
CN102096149A |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN201110020954.5 |
申请日期 |
2011.01.19 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
李国熠;魏玉欣;周强;杨建义;王明华;江晓清 |
分类号 |
G02B6/136(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/136(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
周烽 |
主权项 |
一种硅基长波红外光波导,其特征在于,它是将衬底硅(4)上的波导(1)下端面两侧利用湿法腐蚀中硅的各向异性腐蚀掏空,形成两个空气槽(2),仅保留一个梯形支撑柱(3)。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |