| 发明名称 | 包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种包括分层铁磁结构的磁阻器件及制造该磁阻器件的方法，该分层铁磁结构包括：位于衬底上方的第一铁磁层(11)；位于第一铁磁层(11)上方的第二铁磁层(13)；以及位于第一和第二铁磁层(11、13)之间的第一非磁层(12)。第一铁磁层(11)的顶表面和第一非磁层(12)接触。第一铁磁层(11)包括第一取向控制缓冲器(22)，该第一取向控制缓冲器(22)表现出提高它上面形成的膜的结晶取向的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN1822219B | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200610008529.3 | 申请日期 | 2006.02.16 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 福本能之;五十岚忠二 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;G11C11/18(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;H01F10/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 一种分层铁磁结构，包括：位于衬底上方的第一铁磁层；位于所述第一铁磁层上方的第二铁磁层；以及位于所述第一和第二铁磁层之间的第一非磁层，其中所述第一铁磁层的顶表面和所述第一非磁层接触，其中所述第一铁磁层与所述第二铁磁层是反铁磁耦合的，以及其中所述第一铁磁层包括：第一铁磁膜；位于所述第一铁磁膜上方的第二铁磁膜；以及第一取向控制缓冲器，位于所述第一和第二铁磁膜之间，并被设计成在所述第一和第二铁磁膜之间提供铁磁耦合；以及其中，该第一取向控制缓冲器表现出提高所述第二铁磁膜的结晶取向的作用。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||