抗蚀图案形成工艺和半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种抗蚀图案形成工艺，其在图案化步骤中甚至能采用ArF准分子激光作曝光光源，能够增厚抗蚀图案(例如孔图案)而与其尺寸无关，并能高度精确地减小抗蚀空间图案的尺寸，同时避免改变抗蚀图案的形状，由此使这种工艺简单、廉价和有效，同时突破曝光设备的光源的曝光(分辨率)极限。本发明的抗蚀图案形成工艺包括：形成抗蚀图案；在抗蚀图案表面涂覆抗蚀图案增厚材料；加热抗蚀图案增厚材料以增厚抗蚀图案，随后显影；和加热已增厚的抗蚀图案。

主权项

1.一种增厚的抗蚀图案的形成工艺，包括：形成抗蚀图案；在抗蚀图案表面涂覆抗蚀图案增厚材料；加热抗蚀图案增厚材料以增厚抗蚀图案，随后显影；和加热已增厚的抗蚀图案，其中，抗蚀图案增厚材料包括树脂和由以下通式(1)表示的化合物：通式(1)其中“X”是由以下结构式(1)表示的官能团，“Y”是羟基、氨基、由烷基取代的氨基、烷氧基、烷氧基羰基和烷基中的至少一个，并且取代基的数量为0至3的整数，“m”是1或更大的整数，“n”是0或更大的整数，结构式(1)其中“R¹”和“R²”可以相同或不同，各自为氢原子或取代基，“Z”是羟基、氨基、由烷基取代的氨基和烷氧基中的至少一个，并且取代基的数量为0至3的整数；其中增厚抗蚀图案时，在温度低于增厚后的抗蚀图案的流化温度下进行加热，加热温度是70℃或更高且低于140℃；抗蚀图案被增厚后，加热是在温度等于或大于增厚后的抗蚀图案的流化温度下进行，加热温度是140℃至180℃。