发明名称 电子束辐照提高LED发光强度的方法
摘要 本发明涉及一种利用电子束辐照提高LED发光强度的方法,该方法在标准大气压下,普通空气氛围下,采用GJ-15型地那米电子加速器产生低能电子束对LED芯片进行辐照,选择适当的辐照剂量,使LED芯片中的缺陷中心浓度增加,载流子寿命、浓度和迁移特性变化,从而改变LED的光学和电学性质,提高LED的发光强度。本发明过程简单、快速,与LED复杂的外延片生长过程和芯片制作过程无关,因此适于对LED芯片的光学性能进行改进。
申请公布号 CN102097547A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN201010560520.X 申请日期 2010.11.25
申请人 天津工业大学 发明人 牛萍娟;于莉媛;梁亮
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 电子束辐照提高LED发光强度的方法,其特征在于:利用电子束辐照LED芯片,使LED的发光强度得以提高。
地址 300160 天津市河东区成林道63号