薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管，包括：衬底；位于该衬底上的缓冲层；位于该缓冲层上、包括沟道部分以及分别在该沟道部分两侧的第一掺杂部分和第二掺杂部分的半导体层，第一和第二掺杂部分都包括具有第一宽度的开口；位于该半导体层上的栅极绝缘层；在该沟道部分之上且位于该栅极绝缘层上的栅极电极；位于该栅极电极和栅极绝缘层上的包括源极孔和漏极孔的钝化层，该源极孔和漏极孔分别露出第一掺杂部分和第二掺杂部分，并具有比第一宽度宽的第二宽度；位于该钝化层上的源极电极和漏极电极，源极电极通过该源极孔连接到第一掺杂部分，漏极电极通过漏极孔连接到第二掺杂部分。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：衬底；位于该衬底上的缓冲层；位于该缓冲层上的、包括沟道部分以及分别在该沟道部分两侧的第一掺杂部分和第二掺杂部分的半导体层，其中第一和第二掺杂部分都包括具有第一宽度的开口；位于该半导体层上的栅极绝缘层；在该沟道部分之上且位于该栅极绝缘层上的栅极电极；位于该栅极电极和栅极绝缘层上的包括源极孔和漏极孔的钝化层，其中该源极孔和漏极孔分别露出第一掺杂部分和第二掺杂部分，且具有比第一宽度宽的第二宽度；位于该钝化层上的源极电极和漏极电极，该源极电极通过该源极孔而连接到第一掺杂部分，该漏极电极通过该漏极孔而连接到第二掺杂部分。