可编程导体随机存取存储器以及用于检测它的方法

摘要

提供了一种用于检测可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元的电阻等级的读取电路。通过激活存取晶体管、根据升高的行线电压将电压电势差引入PCRAM单元的两端。将数字线和数字互补参考线预充电为第一预定电压。正被读出的单元具有预充电电压，所述预充电电压经由PCRAM单元的可编程导体存储器元件的电阻而放电。将数字线处读取的电压和基准导体处的电压进行比较。如果数字线处的电压大于参考电压，那么将所述单元作为高电阻值(例如逻辑高)读取；然而，如果测量于数字线的电压低于参考电压，那么将所述单元作为低电阻值(例如逻辑低)读取。

主权项

一种用于读取可变电阻存储器单元的方法，所述方法包括以下步骤：将所述单元的单元极板的电压设置到第一预定电压，其中所述单元的电阻元件的第一部分与其耦合；将所述单元的存取晶体管的第一端子和基准导体充电到第二预定电压，其中所述第一端子与所述单元的列线耦合，其中所述晶体管的第二端子与所述电阻元件的第二部分耦合，并且其中所述第一端子和所述基准导体与比较器的各个输入端耦合；将所述存取晶体管的栅极充电到第三预定电压，以便读取所述单元，其中所述栅极与所述单元的行线耦合；经由所述电阻元件将所述第一端子从第二预定电压放电；并且在所述放电动作开始之后的预定时间段，比较所述第一端子处的电压与所述第二预定电压，以便确定所述单元的逻辑状态。