| 发明名称 | 一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件，包括SOI衬底，以及生长在SOI衬底上的NMOS区和PMOS区，所述NMOS区和PMOS区共用一个垂直栅区，所述垂直栅区与NMOS区和PMOS区位于同一平面上，垂直栅区位于NMOS区和PMOS区之间；垂直栅区与NMOS区之间隔离有栅氧化层；垂直栅区与PMOS区之间隔离有栅氧化层。本发明占用面积小，版图层数少，工艺简单，敞开的体区能够完全避免传统SOI CMOS器件的浮体效应，并方便对寄生电阻、电容的测试。 | ||
| 申请公布号 | CN101777564B | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200910200721.6 | 申请日期 | 2009.12.24 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 程新红;何大伟;俞跃辉;肖德元;王中健;徐大朋 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟;冯珺 |
| 主权项 | 一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件，包括SOI衬底，以及生长在SOI衬底上的NMOS区和PMOS区，其特征在于：所述NMOS区和PMOS区共用一个垂直栅区，所述垂直栅区与NMOS区和PMOS区位于同一平面上，垂直栅区位于NMOS区和PMOS区之间；垂直栅区与NMOS区之间隔离有栅氧化层；垂直栅区与PMOS区之间隔离有栅氧化层。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||