一种用于厚金属的光刻工艺

摘要

本发明涉及一种用于厚金属的光刻工艺，其包括如下步骤：a、在衬底上多次均匀淀积金属材料，使在衬底上形成金属层的厚度为3.9μm～4.1μm；b、在上述金属层上涂布光刻胶，并在所述光刻胶上刻蚀出多个标记窗口，露出标记窗口底部的金属层；c、对标记窗口底部的金属层进行金属腐蚀，露出被金属层遮挡的对位标记；d、去除金属层上的光刻胶；e、在上述金属层上再次涂布光刻胶，所述光刻胶涂布于露出对位标记外的金属层上；f、选择性地掩蔽和刻蚀所述光刻胶，利用上述露出的对位标记作为对位坐标，对金属层进行光刻，在金属层上得到所需的金属图形。本发明能降低表面粗糙度，降低表面晶粒对对位信号的干扰，对位精度高，安全可靠。

主权项

一种用于厚金属的光刻工艺，其特征是，所述厚金属的光刻工艺包括如下步骤：(a)、在衬底上多次均匀淀积金属材料，使在衬底上形成金属层的厚度为3.9μm～4.1μm；(b)、在上述金属层上涂布光刻胶，选择性地掩蔽和刻蚀所述光刻胶，在所述光刻胶上刻蚀出多个标记窗口，露出标记窗口底部的金属层；(c)、对标记窗口底部的金属层进行金属腐蚀，去除标记窗口底部相对应的金属层，露出被金属层遮挡的对位标记；(d)、去除金属层上的光刻胶；(e)、在上述金属层上再次涂布光刻胶，所述光刻胶涂布于露出对位标记外的金属层上；(f)、选择性地掩蔽和刻蚀所述光刻胶，利用上述露出的对位标记作为对位坐标，对金属层进行光刻，在金属层上得到所需的金属图形。