发明名称 |
单质硅测定方法及装置 |
摘要 |
本发明涉及一种单质硅测定方法及装置,该方法根据单质硅与稀碱溶液加热条件下生成氢气的性质,通过生成氢气的体积计算单质硅的含量;需要满足的条件是:反应的始态温度、压力与反应后终态的温度、压力相同。装置包括球形冷凝管、量气管、参比管、水准瓶、贮气瓶、水浴槽、锥形瓶,恒温装置,且在量气管的外部设有冷凝套,恒温装置、球形冷凝管、冷凝套、水浴槽依次通过连接管相连通构成循环冷凝系统。该方法及装置可有效提高单质硅的测定准确度,并且可以用于测定不同含量的单质硅,扩大了测定范围。 |
申请公布号 |
CN102095662A |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN201010611231.8 |
申请日期 |
2010.12.29 |
申请人 |
中冶焦耐(大连)工程技术有限公司;中冶焦耐工程技术有限公司 |
发明人 |
翟晓东;杨义;刘凤振 |
分类号 |
G01N7/18(2006.01)I |
主分类号 |
G01N7/18(2006.01)I |
代理机构 |
鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 |
代理人 |
张群 |
主权项 |
一种单质硅测定方法,其特征在于,该方法根据单质硅与稀碱溶液加热条件下生成氢气的性质,通过生成氢气的体积计算单质硅的含量;需要满足的条件是:反应的始态温度、压力与反应后终态的温度、压力相同。 |
地址 |
116023 辽宁省大连市高新技术产业园区七贤岭高能街128号 |