发明名称 单质硅测定方法及装置
摘要 本发明涉及一种单质硅测定方法及装置,该方法根据单质硅与稀碱溶液加热条件下生成氢气的性质,通过生成氢气的体积计算单质硅的含量;需要满足的条件是:反应的始态温度、压力与反应后终态的温度、压力相同。装置包括球形冷凝管、量气管、参比管、水准瓶、贮气瓶、水浴槽、锥形瓶,恒温装置,且在量气管的外部设有冷凝套,恒温装置、球形冷凝管、冷凝套、水浴槽依次通过连接管相连通构成循环冷凝系统。该方法及装置可有效提高单质硅的测定准确度,并且可以用于测定不同含量的单质硅,扩大了测定范围。
申请公布号 CN102095662A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN201010611231.8 申请日期 2010.12.29
申请人 中冶焦耐(大连)工程技术有限公司;中冶焦耐工程技术有限公司 发明人 翟晓东;杨义;刘凤振
分类号 G01N7/18(2006.01)I 主分类号 G01N7/18(2006.01)I
代理机构 鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 代理人 张群
主权项 一种单质硅测定方法,其特征在于,该方法根据单质硅与稀碱溶液加热条件下生成氢气的性质,通过生成氢气的体积计算单质硅的含量;需要满足的条件是:反应的始态温度、压力与反应后终态的温度、压力相同。
地址 116023 辽宁省大连市高新技术产业园区七贤岭高能街128号