像素结构的制作方法

摘要

本发明涉及一种像素结构的制作方法，包括下列步骤：首先，提供形成有第一导电层的基板，接着提供第一遮罩于第一导电层上方，并使用激光经过第一遮罩照射第一导电层，以形成栅极。接着，形成栅极绝缘层于基板上，以覆盖栅极。继之，同时形成沟道层、源极以及漏极于栅极上方的栅极绝缘层上，其中栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。接着，形成图案化保护层于薄膜晶体管之上，图案化保护层暴露出部分漏极。接着，形成电性连接于漏极的像素电极。本发明利用激光剥离的方式来制作栅极，并且使得沟道层、源极与漏极同时制作完成，因此相比于公知的像素结构制作方法，可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。

主权项

一种像素结构的制作方法，包括：提供一基板；形成一第一导电层于该基板上；提供一第一遮罩于该第一导电层上方，且该第一遮罩暴露出部分的该第一导电层；使用激光经过该第一遮罩照射该第一导电层，以移除该第一遮罩所暴露的部分该第一导电层，而形成一栅极；形成一栅极绝缘层于该基板上，以覆盖该栅极；形成一沟道层、一源极以及一漏极于该栅极上方的该栅极绝缘层上，其中该源极与该漏极配置于该沟道层的部分区域，且该栅极、该沟道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管；形成一保护层于该栅极绝缘层与该薄膜晶体管上；形成一第一光致抗蚀剂层于该保护层上，该第一光致抗蚀剂层暴露出部分的该漏极与该栅极绝缘层，其中该第一光致抗蚀剂层分为第三光致抗蚀剂区块与第四光致抗蚀剂区块，该第三光致抗蚀剂区块位于该漏极边缘并且该第三光致抗蚀剂区块的厚度小于该第四光致抗蚀剂区块的厚度；图案化该保护层以形成一图案化保护层，其中部分该图案化保护层位于该漏极边缘；减少该第一光致抗蚀剂层的厚度，直到该第三光致抗蚀剂区块被完全移除；形成一电极材料层，以覆盖该图案化保护层、该漏极以及该第四光致抗蚀剂区块；以及移除该第四光致抗蚀剂区块，使该第四光致抗蚀剂区块上的该电极材料层一并被移除，以形成一电性连接于该漏极的像素电极。