太阳能电池高方阻扩散方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池高方阻扩散方法，是对太阳能用晶体硅片进行表面制绒，送入扩散炉进行高方阻扩散，然后进行后续太阳能电池工艺。采用本发明的优点是：(1)在扩散很高方阻的时候仍然能保持优越的方阻均匀性；(2)在预氧化的时候通入TCA或TCE能加快氧化，降低基地层错数，提高基底硅的少子寿命；(3)通过氧化层能很好的避免死层的出现；(4)低温预沉积和高温推进形成结的方法能很好的控制扩散的表面浓度和结深形貌。

主权项

一种太阳能电池高方阻扩散方法，其特征在于包括以下步骤：1)将硅片表面进行清洗并且将硅片表面织构化处理；2)在低温700～800℃的温度下将硅片送入扩散炉管中，通入大氮，在通大氮的同时，炉管升温至预沉积所需的温度750～800℃；3)待温度稳定后，通入氧气，并且同时通入TCA或TCE气体进行预氧的生长，预氧化时间控制在10～40分钟，所得到的氧化膜的厚度为5～30nm；4)关闭TCA或TCE气体，通入POCl3，气体流量为0.5～4升/分钟，进行磷P扩散，扩散时间为5～15分钟；5)关闭POCl3气体，升高温度至800～870℃，在升温的同时，氧气与残余的POCl3进行反应，而且同时进行结推进；6)温度稳定后，再进行高温扩散结推进，时间为5～20分钟；7)降温，硅片出炉。