发明名称 |
交叉指型微电极和制造交叉指型微电极的方法 |
摘要 |
一种交叉指型微电极(2),包括衬底(4)、衬底(4)上的第一金属的第一层(6)、和衬底(4)上的第二金属的第二层(8),第一层(6)包括多个在第一端(12)连接而在第二端(14)没有连接的线形微电极(10),第二层(8)包括多个在第一端(18)连接而在第二端(20)没有连接的线形微电极(16),第一层(6)的线形微电极(10)和第二层(8)的线形微电极(16)延伸到彼此但是彼此不接触,从而形成交叉指型微电极阵列(22),并且第一金属与第二金属不同。还公开了一种制造交叉指型微电极(2)的方法。 |
申请公布号 |
CN101375155B |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN200780003603.5 |
申请日期 |
2007.01.25 |
申请人 |
英特利泰克水有限公司 |
发明人 |
D·R·文森特 |
分类号 |
G01N29/30(2006.01)I;G01N27/403(2006.01)I;G01N27/409(2006.01)I |
主分类号 |
G01N29/30(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
屠长存 |
主权项 |
一种交叉指型微电极,包括衬底、衬底上第一金属的第一层、以及衬底上第二金属的第二层,所述交叉指型微电极被设置为:第一层包括多个在第一端连接而在第二端没有连接的线形微电极,第二层包括多个在第一端连接而在第二端没有连接的线形微电极,第一层的线形微电极和第二层的线形微电极延伸到彼此但是彼此不接触,从而形成交叉指型微电极阵列,其中第一金属的第一层是厚膜印刷的第一层,第二金属的第二层是厚膜印刷的第二层,第二层的线形微电极的线宽在衬底上淀积第二层之后被减小,通过薄膜光刻和蚀刻减小所述线宽,所述线宽被减小到小于25微米宽,并且第一金属与第二金属不同。 |
地址 |
英国多塞特 |