发明名称 |
用于内嵌式存储模块的印刷线路布置 |
摘要 |
本发明公开了一种内嵌式存储模块(IMM)结构,该IMM结构可以包括:印刷电路板(PCB);在所述PCB的第一侧上的第一阵列的存储器件;在所述PCB的第二侧上的第二阵列的存储器件;至少某些所述第一阵列的存储器件设置为相对于所述PCB的参考轴而分别与所述第二阵列的位置孪生体存储器件基本重叠;以及,多条通路,所述多条通路中的至少某些通路是相应的信号路径的一部分,所述信号路径将所述第一阵列中的第一存储器件的信号引线连接到所述第二阵列中的第二存储器件的相应的信号引线,所述第二阵列中的第二存储器件与所述第二阵列中对应于所述第一存储器件的位置孪生体第三存储器件相邻。 |
申请公布号 |
CN1848290B |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN200610004209.0 |
申请日期 |
2006.01.28 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金纹廷;李钟周 |
分类号 |
G11C5/02(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C5/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
一种内嵌式存储模块结构,包括:印刷电路板;在所述印刷电路板的第一侧上的第一阵列的存储器件;在所述印刷电路板的第二侧上的第二阵列的存储器件;至少某些所述第一阵列的存储器件设置为相对于所述印刷电路板的参考轴而分别与所述第二阵列的位置孪生体(positional‑twin)存储器件基本重叠;以及多条通路,所述多条通路中的至少某些通路是相应的信号路径的一部分,所述信号路径将所述第一阵列中的第一存储器件的I/O端子连接到所述第二阵列中的第二存储器件的相应的I/O端子,所述第二阵列中的第二存储器件与所述第二阵列中对应于所述第一存储器件的位置孪生体第三存储器件相邻,其中:每个存储器件的至少某些I/O端子沿着所述存储器件的相对边缘群集;以及大部分所述通路的位置分别在所述第一阵列的相邻存储器件的边缘处I/O端子之间所限定的区域中,其中所述区域还被限定在所述第二阵列的相邻存储器件的边缘处信号焊盘之间。 |
地址 |
韩国京畿道 |