发明名称 用于制造碳化硅的方法
摘要 制造多孔碳化硅的方法,包括使碳化硅反应物的颗粒与碳颗粒混合,并在包含分子氧的气氛中于超过950℃的温度煅烧该混合物,其中混合物中碳化硅∶碳的质量比率为5∶1-1∶10。
申请公布号 CN102099289A 申请公布日期 2011.06.15
申请号 CN200980128538.8 申请日期 2009.05.18
申请人 中国科学院大连化学物理研究所;英国石油有限公司 发明人 D·马;L·古;X·鲍;W·沈
分类号 C01B31/36(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I 主分类号 C01B31/36(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 王伦伟;林毅斌
主权项 制造多孔碳化硅的方法,包括使碳化硅反应物的颗粒与碳颗粒混合,并在包含分子氧的气氛中于超过950℃的温度煅烧该混合物,其中该混合物中碳化硅∶碳的质量比率为5∶1‑1∶10。
地址 中国大连市中山路457号