发明名称 覆金属箔之积层体
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.06.11
申请号 TW093112851 申请日期 2004.05.07
申请人 三菱瓦斯化學股份有限公司 日本 发明人 木原秀太 日本;毛户耕 日本
分类号 C08L77/00;H05K3/46;H05K3/38;C09J179/08;C09J179/00;B32B15/08;B32B27/34 主分类号 C08L77/00
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种覆金属箔之积层体,其特征为包含至少一聚醯亚胺层、至少一层之绝缘性基材、以及至少一层之金属箔,且该聚醯亚胺层系由具有以如下所示通式(I):@sIMGTIF!d10012.TIF@eIMG!〔式中,R是由衍生自环己烷之4价之基,Φ是碳原子数为2至39之2价之脂肪族基、脂环族基、芳香族基、或由该等之组合所构成之基,该脂肪族基选自聚伸烷基、聚氧化烯、苯二甲基、及此等之烷基取代物、卤取代物所衍生之至少一种基;该脂环族基衍生自选自环己烷、二环己基甲烷、二甲基环己烷、异佛酮、降@sIMGCHAR!d10019.TIF@eIMG!烷、及由此等之烷基取代物、卤取代物所衍生之至少一种基;该芳香族基选自苯、萘、联苯、二苯基甲烷、二苯基醚、二苯基碸、二苯基酮及由此等之烷基取代物、卤取代物所衍生之至少一种基;且在Φ之主链包含选自由:-O-、-SO2-、-CO-、-CH2-、-C(CH3)2-、-OSi(CH3)2-、-C2H4O-、和-S-所构成之族群中之至少一基〕所表示的重复单元之聚醯亚胺所构成,其中通式(I)所表示的重复单元的含量为全部的重复单元的10~100莫耳%,又该聚醯亚胺1分子中以通式(I)所表示之重复单元之数量为10至2000。如申请专利范围第1项之覆金属箔之积层体,其中该聚醯亚胺层系形成在该绝缘性基材、该金属箔、或其两者之表面上。如申请专利范围第1项之覆金属箔之积层体,其中该聚醯亚胺层系配置在该绝缘性基材与该金属箔之间。如申请专利范围第1至3项中任一项之覆金属箔之积层体,其中该聚醯亚胺层系在该绝缘性基材、该金属箔、或其两者之表面涂布该聚醯亚胺之有机溶剂溶液,并将溶剂加以蒸发所形成之黏合层。如申请专利范围第1至3项中任一项之覆金属箔之积层体,其中该聚醯亚胺层为由该聚醯亚胺所构成之黏合性聚醯亚胺薄膜。如申请专利范围第1或2项之覆金属箔之积层体,其中该聚醯亚胺层为该覆金属箔之积层体之表面层。如申请专利范围第6项之覆金属箔之积层体,其中该聚醯亚胺层为涂布该聚醯亚胺之有机溶剂溶液,并将溶剂加以蒸发所形成之表护层。如申请专利范围第6项之覆金属箔之积层体,其中该聚醯亚胺层为由该聚醯亚胺所构成之表层薄膜。如申请专利范围第6项之覆金属箔之积层体,其中该聚醯亚胺层系以将非质子性极性有机溶剂用作为蚀刻液之湿式蚀刻法所图案化。如申请专利范围第1项中之覆金属箔之积层体,其中该聚醯亚胺层系配置在该绝缘性基材与该金属箔之间,且为藉由涂布该聚醯亚胺之有机溶剂溶液,并将溶剂加以蒸发所形成之黏合层,或为由该聚醯亚胺所构成之黏合性聚醯亚胺薄膜。如申请专利范围第1项之覆金属箔之积层体,其中该绝缘性基材与该金属箔为印刷电路板,该聚醯亚胺层系配置在该印刷电路板之电路面上。如申请专利范围第11项中之覆金属箔之积层体,其中在该聚醯亚胺层上又配置绝缘性基材。如申请专利范围第11项之覆金属箔之积层体,其中在该聚醯亚胺层上又配置印刷电路板。如申请专利范围第1项之覆金属箔之积层体,其中该聚醯亚胺之玻璃转移温度为350℃以下。如申请专利范围第1项之覆金属箔之积层体,其中该聚醯亚胺在10 GHz之介电常数为302以下。
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