发明名称 基板处理装置
摘要
申请公布号 TWI343281 申请公布日期 2011.06.11
申请号 TW097103863 申请日期 2008.02.01
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 梶原拓伸
分类号 B05C5/00;G02F1/13 主分类号 B05C5/00
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 一种基板处理装置,用来对于涂布过处理液的被处理基板施以该处理液的乾燥处理以形成涂布膜,其特征为:具备:搬运机构,其使该被处理基板呈面朝上姿态在搬运路径上沿水平方向受搬运;及处理室单元,设置在该搬运路径上,对于由该搬运机构送入的该被处理基板实施乾燥处理;该处理室单元具备:设置在基板搬运方向下游侧的进气机构以及设置在基板搬运方向上游侧的排气机构,或是,设置在基板搬运方向上游侧的进气机构以及设置在基板搬运方向下游侧的排气机构,利用该进气机构供给乾燥空气,并利用该排气机构将所供给之乾燥空气排出,以在该处理室单元内形成接触该被搬运基板表面的乾燥空气流。如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,沿着被处理基板的搬运方向在该搬运路径上设置复数段的该处理室单元,并于各该处理室单元个别控制该乾燥空气流之形成。如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,在该搬运路径上之该处理室单元的前段上设置加热器,该加热器可对该搬运机构所搬运的被处理基板加热。如申请专利范围第2项之基板处理装置,其中,在该搬运路径上之该处理室单元的前段设置加热器,该加热器用以加热由该搬运机构所搬运的被处理基板。如申请专利范围第1至4项中任一项之基板处理装置,其中,在该处理室单元内之该搬运路径上设置基板浮升机构,该基板浮升机构利用空气压使被处理基板在浮升状态下沿水平方向加以搬运。如申请专利范围第2至4项中任一项之基板处理装置,其中,在沿着该被处理基板的搬运方向于该搬运路径上设有复数段的该处理室单元中,形成于初段处理室单元内的乾燥空气流的温度,被设定为既定温度,形成于后段处理室单元内的乾燥空气流的温度,被设定为比形成于该初段处理室单元内的乾燥空气流的温度更高。如申请专利范围第2至4项中任一项之基板处理装置,其中,在沿着该被处理基板的搬运方向于该搬运路径上设有复数段的该处理室单元中,形成于初段处理室单元内的乾燥空气流的流速,被设定为既定速度,形成于后段处理室单元的乾燥空气流的流速,被设定为比形成于该初段处理室单元内的乾燥空气流的流速更快。如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中,在沿着该被处理基板的搬运方向于该搬运路径上设有复数段的各处理室单元的前段以及后段上,设置可对基板进行滚轮搬运的滚轮搬运部,在各处理室单元中该基板浮升机构沿基板搬运方向的长度尺寸,比该被处理基板的同方向的长度尺寸更短,于该被处理基板通过该处理室单元时,该基板藉由该处理室单元之前段或后段的滚轮搬运部朝搬运方向移动。如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中,在沿着该被处理基板的搬运方向于该搬运路径上设有复数段的该处理室单元中,形成于初段处理室单元内的乾燥空气流的温度,被设定为既定温度,形成于后段处理室单元内的乾燥空气流的温度,被设定为比形成于该初段处理室单元内的乾燥空气流的温度更高。如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中,在沿着该被处理基板的搬运方向于该搬运路径上设有复数段的该处理室单元中,形成于初段处理室单元内的乾燥空气流的流速,被设定为既定速度,形成于后段处理室单元内的乾燥空气流的流速,被设定为比形成于该初段处理室单元内的乾燥空气流的流速更快。如申请专利范围第8项之基板处理装置,其中,在沿着该被处理基板的搬运方向于该搬运路径上设有复数段的该处理室单元中,形成于初段处理室单元内的乾燥空气流的温度,被设定为既定温度,形成于后段处理室单元内的乾燥空气流的温度,被设定为比形成于该初段处理室单元内的乾燥空气流的温度更高。如申请专利范围第8项之基板处理装置,其中,在沿着该被处理基板的搬运方向于该搬运路径上设有复数段的该处理室单元中,形成于初段处理室单元内的乾燥空气流的流速,被设定为既定速度,形成于后段处理室单元内的乾燥空气流的流速,被设定为比形成于该初段处理室单元内的乾燥空气流的流速更快。
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