发明名称 半导体封装件之散热片及半导体封装构造
摘要
申请公布号 TWI343639 申请公布日期 2011.06.11
申请号 TW096112982 申请日期 2007.04.13
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 李国源;杨金凤;陈宣予
分类号 H01L23/34 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 花瑞铭 高雄市前镇区中山二路7号14楼之1
主权项 一种半导体封装件之散热片,该半导体封装件具有一外表面,该散热片包含:一上表面;一下表面,相对于该上表面,该下表面用以贴附于该半导体封装件之该外表面;一第一侧面,连接该上表面与下表面;一第二侧面相对于该第一侧面,该第二侧面连接该上表面与下表面;及至少一中空通道,位于该散热片之该上表面与下表面间,该中空通道具有一第一开口及一第二开口,该第一开口开设于该第一侧面且该第二开口开设于该第二侧面,且该第二开口之截面积大于该第一开口之截面积;其中,当该中空通道内之空气受热膨胀时,受热膨胀之空气自该第二开口流出该中空通道,并牵引外界之空气自该第一开口流入该中空通道,藉以达成循环散热的效果。依申请专利范围第1项之散热片,其中该散热片包含:一上部散热片,包含该上表面及相对于该上表面之一第一内表面,该第一内表面上形成有一第一槽道延伸出该第一及第二侧面;及一下部散热片,相对于该上部散热片,包含该下表面及相对于该下表面之一第二内表面,该第二内表面上形成有一第二槽道相对于该第一槽道,且延伸出该第一及第二侧面;其中,结合该上部散热片之该第一内表面及该下部散热片之该第二内表面,以形成该散热片及该中空通道。依申请专利范围第1项之散热片,其中该中空通道之截面积自该第二开口连续递减至该第一开口。依申请专利范围第1项之散热片,其中该中空通道之截面积自该第二开口阶段递减至该第一开口。依申请专利范围第1项之散热片,其中该中空通道之截面中心与该下表面间之距离自该第二开口逐渐递减至该第一开口。一种半导体封装构造,包含:一半导体封装件,具有一外表面;一散热片,包含:一上表面;一下表面,相对于该上表面,该下表面贴附于该半导体封装件之该外表面;一第一侧面,连接该上表面与下表面;一第二侧面相对于该第一侧面,该第二侧面连接该上表面与下表面;及至少一中空通道,位于该散热片之该上表面与下表面间,各该中空通道具有一第一开口及一第二开口,该第一开口开设于该第一侧面且该第二开口开设于该第二侧面,且该第二开口之截面积大于该第一开口之截面积;其中,当该中空通道内之空气受该半导体封装件操作时之热能加热膨胀时,热膨胀之空气自该第二开口流出该中空通道,并牵引外界之空气自该第一开口流入该中空通道,藉以达成循环散热的效果。依申请专利范围第6项之半导体封装构造,其中该半导体封装件为一覆晶球格阵列(FCBGA)封装件。依申请专利范围第6项之半导体封装构造,其中该散热片具有一个中空通道,且该半导体封装件于该下表面之投影面全部位于该中空通道于该下表面之投影面内。依申请专利范围第6项之半导体封装构造,其中另包含一黏接层位于该散热片之下表面及该半导体封装件之外表面之间,用以黏接该散热片于该半导体封装件。依申请专利范围第6项之半导体封装构造,其中该中空通道之截面积自该第二开口连续递减至该第一开口。依申请专利范围第6项之半导体封装构造,其中该中空通道之截面积自该第二开口阶段递减至该第一开口。依申请专利范围第6项之半导体封装构造,其中该中空通道之截面中心与该下表面间之距离自该第二开口逐渐递减至该第一开口。
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