发明名称 平面扬声器结构
摘要
申请公布号 TWI343756 申请公布日期 2011.06.11
申请号 TW098126821 申请日期 2009.08.10
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 刘昌和;陈明道;曾国华
分类号 H04R19/02 主分类号 H04R19/02
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种平面扬声器,包括多个平面扬声器单体,其中,每一该平面扬声器单体分别包括一开孔电极,具有多个音孔;一振膜结构,包括一驻极体振膜与配置于表面的一导电电极;以及一支撑体层,配置在该振膜结构与该开孔电极之间,该支撑体层具有一边框与多数支撑体,其中,该振膜结构、该支撑体层与该开孔电极依序结合成该平面扬声器单体结构,其中该些平面扬声器单体中,包括至少其中两个该些平面扬声器单体的该些导电电极或该些开孔电极分别位于该平面扬声器的两相对的外侧。如申请专利范围第1项所述之平面扬声器,其中该些振膜结构的导电电极共同连接至一讯号源。如申请专利范围第1项所述之平面扬声器,其中该些振膜结构的导电电极,部分连接至一差动讯号源所提供一第一讯号源,另一部份连接到该差动讯号源所提供一第二讯号源,其中该第一讯号源与该第二讯号源相位相反。如申请专利范围第1项所述之平面扬声器,更包括一绝缘层,位于堆叠的该些平面扬声器单体之空间,做一电性隔离,而该些平面扬声器单体之间作为该平面扬声器的共振空间。如申请专利范围第1项所述之平面扬声器,其中该堆叠结构包括一第一平面扬声器单体与一第二平面扬声器单体,其中两该些导电层分别为该第一平面扬声器单体与该第二平面扬声器单体的该些开孔电极。如申请专利范围第1项所述之平面扬声器,其中该堆叠结构包括一第一平面扬声器单体与一第二平面扬声器单体,其中两该些导电层分别为该第一平面扬声器单体与该第二平面扬声器单体的该些导电电极。如申请专利范围第1项所述之平面扬声器,其中每一该平面扬声器单体内的该些支撑体根据该振膜与开孔电极之静电效应而调整布局图案配置。如申请专利范围第7项所述之平面扬声器,其中该平面扬声器单体内的该边框形状为一几何形状,包括矩形、正方形、三角形、圆形或是椭圆形其中之一或其组合。如申请专利范围第7项所述之平面扬声器,其中该些支撑体的形状为点状、栅状、类十字状、三角柱形、圆柱形或矩形其中之一或其组合。如申请专利范围第1项所述之平面扬声器,其中该些振膜的驻极体层可选择性地驻有不同电性的电荷,藉以让连接到一讯号源的该些振膜能振动发出不同频率的声音。如申请专利范围第1项所述之平面扬声器,其中该些驻极体层材料是采用具有奈微米孔的驻极体压电复合材料。如申请专利范围第1项所述之平面扬声器,其中该驻极体层之材料选自氟化乙烯丙烯共聚物(FEP;fluorinated ethylenepropylene)、聚四氟乙烯(PTFE;polytetrafluoethylene)、聚氟亚乙烯(PVDF;polyvinylidene fluride)与部份含氟高分子聚合物(Fluorine polymer)其中一种或其组合。如申请专利范围第1项所述之平面扬声器,其中该些导电电极系为选自包括铝、金、银、铜材质或其合金、或Ni/Au双金属材质、或是铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)或铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide,IZO)其中之一或其组合,或是高分子导电材PEDOT所组成。如申请专利范围第1项所述之平面扬声器,其中每两个该些平面扬声器单体之间分别配置一绝缘层,做为电性隔离,而该些平面扬声器单体之间的空间作为该平面扬声器的共振空间。如申请专利范围第14项所述之平面扬声器,其中部分该些驻极体层驻有一第一电荷、而另外其他该些驻极体则驻有一第二电荷,而该第一电荷与该第二电荷的极性相反,藉以让连接到一讯号源的该些振膜能振动,而让该平面扬声器发出不同频率的声音。一种平面扬声器,包括第一、第二与第三个平面扬声器单体,而每一该平面扬声器单体分别包括一开孔电极,具有多个音孔;一振膜结构,包括一驻极体振膜与配置于表面的一导电电极;以及一支撑体层,配置在该振膜结构与该开孔电极之间,该支撑体层具有一边框与多数支撑体,其中,该振膜结构、该支撑体层与该开孔电极依序结合成该平面扬声器单体结构,其中该第一平面扬声器单体与该第二平面扬声器单体之驻极体振膜具有一第一电荷,而该第三平面扬声器单体之驻极体振膜具有一第二电荷,而该些平面扬声器单体的导电电极共同连接至一讯号源,其中该第一电荷与该第二电荷电性极性相反,其中,该第一平面扬声器单体与该第三平面扬声器单体的开孔电极分别位于该平面扬声器的两相对的外侧。一种平面扬声器单体,包括:一第一振膜,具有一第一表面与一第二表面,该第一表面设有一第一导电电极;一第二振膜,具有一第三表面与一第四表面,该第三表面设有一第二导电电极;一开孔电极,介于该第一振膜之第二表面与该第二振膜之第四表面之间;以及一第一支撑体层,配置在该第一振膜与该开孔电极之间,具有一第一边框与多数第一支撑体;以及一第二支撑体层,配置在该第二振膜与该开孔电极之间,具有一第二边框与多数第二支撑体,其中该第一振膜、该第一支撑体层、该开孔电极、该第二支撑体层与该第二振膜结合成该平面扬声器单体,而该第一导电电极与该第二导电电极位于该平面扬声器单体之相对的两外侧,并在该平面扬声器单体内形成共振空间。如申请专利范围第17项所述之平面扬声器单体,其中配置于该平面扬声器两侧的该第一导电电极与该第二导电电极接地。如申请专利范围第17项所述之平面扬声器单体,其中该开孔电极连接至一讯号源。如申请专利范围第17项所述之平面扬声器单体,其中该些支撑体分别以该第一振膜、该第二振膜与该开孔电极之静电效应而调整布局图案配置。如申请专利范围第17项所述之平面扬声器单体,其中该第一支撑体层与该第二支撑体层的边框形状为一几何形状,包括矩形、正方形、三角形、圆形或是椭圆形其中之一。如申请专利范围第17项所述之平面扬声器单体,其中该些支撑体的形状为点状、栅状、类十字状、三角柱形、圆柱形或是矩形其中之一。如申请专利范围第17项所述之平面扬声器单体,其中该第一振膜与该第二振膜分别包括具有电荷的一驻极体层。如申请专利范围第23项所述之平面扬声器单体,其中该些驻极体层材料是采用具有奈微米孔的驻极体压电复合材料。如申请专利范围第23项所述之平面扬声器单体,其中该驻极体层之材料选自氟化乙烯丙烯共聚物(FEP;fluorinated ethylenepropylene)、聚四氟乙烯(PTFE;polytetrafluoethylene)、聚氟亚乙烯(PVDF;polyvinylidene fluride)与部份含氟高分子聚合物(Fluorine polymer)其中一种或其组合。如申请专利范围第17项所述之平面扬声器单体,其中该第一导电电极与该第二导电电极系为选自包括铝、金、银、铜材质或其合金、或Ni/Au双金属材质、或是铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)或铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide,IZO)其中之一或其组合,或是高分子导电材PEDOT所组成。
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