| 主权项 |
一种混光型发光二极体，包含：一透光基板，该透光基板具有一第一表面以及与该第一表面相对之一第二表面；一发光半导体结构形成于该第一表面上；一反射电极位于该发光半导体结构之上且与该发光半导体结构间有一间隙，其中该反射电极与该发光半导体结构电性连接，其中该间隙填充一单层介电质或一多层介电质。；以及一第一萤光粉层形成于该第二表面上；其中，该发光半导体结构辐射之一光线被该反射电极反射而向该透光基板以及该第一萤光粉层行进。如申请专利范围第1项所述之混光型发光二极体，其中该多层介电质包含至少两种以上的介电质。如申请专利范围第1项所述之混光型发光二极体，进一步包含一第二萤光粉层形成于该发光半导体结构与该反射电极之间。一种混光型发光二极体，包含：一透光基板，该透光基板具有一第一表面以及与该第一表面相对之一第二表面；一发光半导体结构形成于该第一表面上；一第一萤光粉层形成于该发光半导体结构上；以及一反射电极位于该第一萤光粉层之上且与该第一萤光粉层间有一间隙，其中该反射电极与该发光半导体结构电性连接；其中，该发光半导体结构辐射之一光线穿越该第一萤光粉层后，被该反射电极反射而向该第一萤光粉层以及该透光基板行进。如申请专利范围第4项所述之混光型发光二极体，其中该间隙填充一单层介电质或一多层介电质。如申请专利范围第5项所述之混光型发光二极体，其中该多层介电质包含至少两种以上的介电质。如申请专利范围第4项所述之混光型发光二极体，进一步包含一第二萤光粉层形成于该第二表面上。一种混光型发光二极体，包含：一载台；一发光半导体结构设置于该载台之上且与该载台间有一间隙，其中该发光半导体结构与该载台电性连接；以及一透光基板位于该发光半导体结构上；其中，一萤光粉胶仅填充于该发光半导体结构正下方之该间隙。如申请专利范围第8项所述之混光型发光二极体，其中该载台包含一反射层，该发光半导体结构系设置于该反射层之上。如申请专利范围第8项所述之混光型发光二极体，进一步包含一选择性反射层形成于该透光基板之上。如申请专利范围第10项所述之混光型发光二极体，其中该选择性反射层系以一单层介电质或一多层介电质形成。如申请专利范围第11项所述之混光型发光二极体，其中该多层介电质包含至少两种以上的介电质。如申请专利范围第10项所述之混光型发光二极体，其中该选择性反射层包含一通孔或一图形遮罩。如申请专利范围第8项所述之混光型发光二极体，进一步包含一萤光粉层形成于该透光基板上。一种混光型发光二极体，包含：一载台；一第一萤光粉层形成于该载台上；一发光半导体结构设置于该第一萤光粉层之上且与该萤光粉层间有一间隙，其中该发光半导体结构与该载台电性连接；以及一透光基板位于该发光半导体结构上。如申请专利范围第15项所述之混光型发光二极体，其中该载台包含一反射层，该第一萤光粉层系形成于该反射层上。如申请专利范围第15项所述之混光型发光二极体，进一步包含一选择性反射层形成于该透光基板之上。如申请专利范围第17项所述之混光型发光二极体，其中该选择性反射层系以一单层介电质或一多层介电质形成。如申请专利范围第18项所述之混光型发光二极体，其中该多层介电质包含至少两种以上的介电质。如申请专利范围第17项所述之混光型发光二极体，其中该选择性反射层包含一通孔或一图形遮罩。如申请专利范围第15项所述之混光型发光二极体，进一步包含一第二萤光粉层形成于该透光基板上。一种混光型发光二极体，包含：一透光基板，该透光基板具有一第一表面以及与该第一表面相对之一第二表面；一发光半导体结构形成于该第一表面上；一选择性反射层位于该发光半导体结构上；以及一萤光粉层形成于该第二表面上；其中，该发光半导体结构辐射之一光线之一部分被该选择性反射层反射而向该透光基板以及该萤光粉层行进。如申请专利范围第22项所述之混光型发光二极体，其中该选择性反射层系以一单层介电质或一多层介电质形成。如申请专利范围第23项所述之混光型发光二极体，其中该多层介电质包含至少两种以上的介电质。如申请专利范围第22项所述之混光型发光二极体，其中该选择性反射层包含一通孔或一图形遮罩。一种混光型发光二极体，包含：一基板；一第一萤光粉层形成该基板上；一发光半导体结构形成于该第一萤光粉层上；以及一选择性反射层形成于该发光半导体结构上。如申请专利范围第26项所述之混光型发光二极体，进一步包含一第二萤光粉层形成该选择性反射层上。如申请专利范围第26项所述之混光型发光二极体，其中该选择性反射层系以一单层介电质或一多层介电质形成。如申请专利范围第28项所述之混光型发光二极体，其中该多层介电质包含至少两种以上的介电质。如申请专利范围第26项所述之混光型发光二极体，其中该选择性反射层包含一通孔或一图形遮罩。如申请专利范围第26项所述之混光型发光二极体，进一步包含一第三萤光粉层形成该发光半导体结构上。如申请专利范围第31项所述之混光型发光二极体，进一步包含一选择性反射层形成于该第三萤光粉层上。如申请专利范围第32项所述之混光型发光二极体，其中该选择性反射层系以一单层介电质或一多层介电质形成。如申请专利范围第33项所述之混光型发光二极体，其中该多层介电质包含至少两种以上的介电质。如申请专利范围第32项所述之混光型发光二极体，其中该选择性反射层包含一通孔或一图形遮罩。 |
