| 主权项 |
一种双重金属镶嵌制程，包括：提供一基底，该基底上具有一导电区且该导电区已被一衬层覆盖；在该基底上形成一介电层；在该介电层中形成一介层窗开口，对准该导电区并裸露出该衬层；在该介层窗开口中填入一沟填层；在该基底上形成一阻抗层，覆盖该介电层与该沟填层；进行一微影与蚀刻制程，以在该介电层中形成一沟渠，并使留下之该沟填层呈拱顶状，其中在进行蚀刻制程时，该沟填层之蚀刻速率大于该阻抗层之蚀刻速率；去除该沟填层、该阻抗层与该介层窗开口所裸露之该衬层；以及在该沟渠与该介层窗开口中形成一导电层。如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程，其中在进行蚀刻制程时，该沟填层/该阻抗层之蚀刻选择比为3至1.1。如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程，其中在进行蚀刻制程时，该沟填层之蚀刻率大于该介电层之蚀刻率。如申请专利范围第3项所述之双重金属镶嵌制程，其中在进行蚀刻制程时，该沟填层/该介电层之蚀刻选择比为1.2至2。如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程，其中该阻抗层之蚀刻率大于该介电层之蚀刻率。如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程，其中在进行该蚀刻制程时之一蚀刻气体不含氧气。如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程，其中在进行该蚀刻制程时所使用的气体包括氟烃。如申请专利范围第7项所述之双重金属镶嵌制程，其中在进行该蚀刻制程时所使用的气体还包括一载气。如申请专利范围第8项所述之双重金属镶嵌制程，其中在进行该蚀刻制程时所使用的气体还包括一调整气体，该调整气体包括氮气或一氧化碳。如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程，其中该介电层之材质包括低介电常数材料。如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程，更包括在形成该介层窗开口之前，在该介电层上形成一顶盖层。如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程，其中该沟填材料包括无抗反射特性之聚合物。一种复合开口的形成方法，包括在一基底上形成一材料层；在该材料层中形成一窄开口；在该窄开口中形成一沟填层；在该基底上形成一阻抗层，覆盖该材料层与该沟填层；进行一微影与蚀刻制程，以在该材料层中形成一与该窄开口连通的宽开口，并留下之该沟填层呈拱顶状，其中在进行蚀刻制程时，该沟填层者之蚀刻速率大于该阻抗层之蚀刻速率；以及去除该沟填层与该阻抗层，裸露出该宽开口与该窄开口，以形成该复合开口。如申请专利范围第13项所述之复合开口的形成方法，其中在进行蚀刻制程时，该沟填层/该阻抗层之蚀刻选择比为3至1.1。如申请专利范围第13项所述之复合开口的形成方法，其中在进行蚀刻制程时，该沟填层之蚀刻率大于该材料层者。如申请专利范围第15项所述之复合开口的形成方法，其中在进行蚀刻制程时，该沟填层/该材料层之蚀刻选择比为1.2至2。如申请专利范围第13项所述之复合开口的形成方法，其中该阻抗层之蚀刻率大于该材料层之蚀刻率。如申请专利范围第13项所述之复合开口的形成方法，其中该沟填层之材质包括无抗反射特性之聚合物。如申请专利范围第13项所述之复合开口的形成方法，其中在进行蚀刻制程时所使用的气体包括氟烃。如申请专利范围第19项所述之复合开口的形成方法，其中在进行蚀刻制程时所使用的气体还包括一载气。如申请专利范围第20项所述之复合开口的形成方法，其中在进行该蚀刻制程时所使用的气体还包括一调整气体，该调整气体包括氮气或一氧化碳。 |
