发明名称 阵列式定电流多驱电路
摘要
申请公布号 TWM405530 申请公布日期 2011.06.11
申请号 TW099225023 申请日期 2010.12.24
申请人 毛立文 发明人 毛立文
分类号 F21V23/00 主分类号 F21V23/00
代理机构 代理人 赖安国 台北市信义区东兴路37号9楼;李政宪 台北市信义区东兴路37号9楼;王立成 台北市信义区东兴路37号9楼
主权项 一种阵列式定电流多驱电路,系用于驱动复数个彼此互相并联的发光装置,每一发光装置串接有复数个发光二极体,该定电流多驱电路包含:一偏压电路,系与一电源连接,以产生一偏压电压;一稽纳二极体,其系与该偏压电路连接,并具有一预设参考电压值,其中,该稽纳二极体被导通于该偏压电压大于该预设参考电压值的状态下;及一放大电路,系与该偏压电路及该稽纳二极体连接并运作于该稽纳二极体被导通的状态下,该放大电路具有一缓冲器及一第一电晶体,以放大所接收之电流并驱动每一发光装置,其中,该第一电晶体之集极端系连接该电源,其基极端系连接该缓冲器,其射极端系与每一发光装置中之第二电晶体的基极端相连接,并藉由该预设参考电压值及每一发光装置中与第二电晶体之射极端相连接的一第二电阻,使该每一发光装置具有定电流;其中,该放大电路系与该等发光装置共地。如申请专利范围第1项所述之阵列式定电流多驱电路,其中每一发光装置包含:一串联式发光单元,其一端系连接至该电源,并串接有该等发光二极体;该第二电晶体,其集极端系连接至该串联式发光单元的另一端;及该第二电阻,其一端系连接该第二电晶体之射极端,另一端系与该放大电路共地。如申请专利范围第1或2项所述之阵列式定电流多驱电路,其中该第一及第二电晶体系为双载子接面电晶体。如申请专利范围第3项所述之阵列式定电流多驱电路,其中该偏压电路系包含一第一电阻,以控制施加于该稽纳二极体的偏压电压。如申请专利范围第4项所述之阵列式定电流多驱电路,其中该双载子接面电晶体系为NPN型双载子接面电晶体。如申请专利范围第3项所述之阵列式定电流多驱电路,其中该双载子接面电晶体系为NPN型双载子接面电晶体。
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