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一种用于形成微加工装置的方法，包含有：蚀刻基板的上表面，以形成至少一个蚀刻形体；一复层基板接合于该基板的上表面，以使该上表面上方的经蚀刻形体受覆盖而形成内舱，该复层基板包含有一个矽层与一个处理层，其中该接合会于该基板上表面与该矽层之间形成矽对矽的接合；以及由该复层基板移除该处理层，以形成含有覆于该内舱上之该矽层的一薄膜。如申请专利范围第1项之方法，其中：该复层基板为包含有一个氧化物层的矽对绝缘体基板。如申请专利范围第2项之方法，更包含有：由该矽对绝缘体基板移除该氧化物层，以形成该薄膜。如申请专利范围第3项之方法，其中：由该矽对绝缘体基板移除该氧化物层包含有蚀刻该氧化物层。如申请专利范围第1项之方法，更包含有：形成一个导电层于该薄膜上。如申请专利范围第1项之方法，更包含有：接合一个压电层于该薄膜。如申请专利范围第1项之方法，其中：将一复层基板接合于该基板上表面包含有将该第一层的矽熔合接合于该上表面的矽。如申请专利范围第1项之方法，其中：由该复层基板移除该处理层包含有研磨该处理层。如申请专利范围第1项之方法，其中：由该复层基板移除该处理层包含有蚀刻该处理层。如申请专利范围第1项之方法，其中：该薄膜小于15微米厚。如申请专利范围第10项之方法，其中：该薄膜小于10微米厚。如申请专利范围第11项之方法，其中：该薄膜小于5微米厚。如申请专利范围第11项之方法，其中：该薄膜小于1微米厚。如申请专利范围第1项之方法，更包含有：在蚀刻该上表面之前，形成一个金属遮罩于该基板上表面上。如申请专利范围第14项之方法，其中：该金属遮罩包含有镍与铬。如申请专利范围第1项之方法，更包含有：在蚀刻前，形成一个金属阻绝层于基板的下表面上。如申请专利范围第16项之方法，其中：该金属阻绝层包含有由镍、铬、铝、铜、钨及铁所组成之至少一种金属。如申请专利范围第1项之方法，其中：该处理层包含有矽。如申请专利范围第1项之方法，更包含有：在接合该复层基板之前，由该基板上表面移除氧化物。如申请专利范围第19项之方法，更包含有：在接合该复层基板之前，由该复层基板的矽层移除氧化物。如申请专利范围第19项之方法，其中：移除该氧化物包含有氢氟酸蚀刻。一种用于形成印刷头的方法，包含有：蚀刻基板上表面，以具有至少一个经蚀刻的形体；将一复层基板接合于该基板的上表面，以使该上表面上方的经蚀刻形体受覆盖而形成内舱，该复层基板包含有一个第一层与一个处理层；由该复层基板移除该处理层，以形成薄膜；以及将一压电层接合于该薄膜。如申请专利范围第22项之方法，更包含有：将一个喷嘴层接合于该基板的下表面，其中该喷嘴层包含有至少部分之一个或多个用于射出流体的喷嘴。如申请专利范围第22项之方法，其中：蚀刻该基板上表面，以形成至少部分的油墨流道。如申请专利范围第1项之方法，其中蚀刻基板上表面包含有蚀刻基本上由矽所组成的基板。一种用于形成微加工装置的方法，包含有：将一个金属层形成于第一基板的下表面上；由该基板上表面蚀刻该第一基板，以使经蚀刻形体延伸穿经该第一基板而触及该金属层；在蚀刻该第一基板后，由该第一基板的下表面移除该金属层；以及将一薄层接合于该第一基板的下表面。如申请专利范围第26项之方法，其中：蚀刻该第一基板包含有蚀刻该第一基板的深活性离子蚀刻。如申请专利范围第26项之方法，其中：将一个薄层接合于该基板下表面包含有将第一矽表面接合于第二矽表面。如申请专利范围第26项之方法，其中：该第一基板包含有一双面抛光的矽基板。如申请专利范围第26项之方法，更包含有：将一个或多个形体蚀刻于该第一基板的下表面内。如申请专利范围第30项之方法，其中：蚀刻该一个或多个形体系发生在形成该金属层之前。如申请专利范围第26项之方法，更包含有：将一个复层基板接合于该基板的上表面，以使该上表面上方的经蚀刻形体受覆盖而形成一个或多个内舱，该复层基板包含有一第一层与一处理层，以及将该处理层由该复层基板移除，而形成覆盖该一个或多个内舱的薄膜。一种用于形成微加工装置的方法，包含有：将一个或多个沟槽蚀刻于第一基板的下表面内；在蚀刻该下表面之后，一个牺牲层系形成于该第一基板的下表面；由该基板上表面蚀刻该第一基板，以使经蚀刻的形体延伸穿经该第一矽基板而触及该牺牲层；以及由该第一基板下表面移除该牺牲层。如申请专利范围第33项之方法，其中：形成一牺牲层包含有形成一金属层。如申请专利范围第34项之方法，其中：形成一金属层包含形成含有镍、铬、铝、铜、钨或铁其中至少一种的一薄层。如申请专利范围第33项之方法，其中：形成一牺牲层包含有形成一蚀刻阻绝层。如申请专利范围第33项之方法，其中：蚀刻该第一基板包含有深活性离子蚀刻。如申请专利范围第33项之方法，其中：形成该牺牲层包含有形成一材料层，以使当由该上表面蚀刻该第一基板时，不会于该第一基板中形成浅碟化。如申请专利范围第33项之方法，更包含有：在蚀刻该基板上表面之前，形成一个金属遮罩于该基板上表面上。如申请专利范围第39项之方法，其中：该金属遮罩包含有镍与铬。一种用于形成印刷头的方法，包含有：由第一基板的上表面蚀刻该第一基板，以使经蚀刻形体延伸穿经该第一基板，而触及位于该第一基板下表面上的一薄层；在由该上表面蚀刻该第一基板后，将一个薄层接合于该第一基板的下表面；以及在该薄层接合于该下表面之后，将喷嘴形体形成于该薄层中，以使喷嘴形体连接至该经蚀刻形体。如申请专利范围第41项之方法，其中：形成喷嘴形体包含有蚀刻。如申请专利范围第41项之方法，其中：该第一基板包含有矽。如申请专利范围第43项之方法，其中：将一个薄层接合于该第一基板的下表面包含有接合一双面抛光基板于该第一基板。如申请专利范围第43项之方法，其中：将一个薄层接合于该第一基板的下表面包含有接合一复层基板于该第一基板，其中该复层基板包含有一个矽层。如申请专利范围第43项之方法，其中：将一个薄层接合于该第一基板的下表面包含有熔合接合。如申请专利范围第43项之方法，其中：将一个薄层接合于该第一基板的下表面包含有将一个矽在绝缘体上的基板接合于该第一基板，其中该矽在绝缘体上的基板包含有一个矽层、一个氧化物层及一个处理层。如申请专利范围第43项之方法，其中：将一个薄层接合于该下表面包含有形成矽对矽接合，其中该接合实质上并无氧化物。一种微加工装置，包含有：矽本体，其中该矽本体具有复数个沟槽；小于15微米厚之矽薄膜，其系接合于该本体，以使该本体中的沟槽至少部分为该薄膜所覆盖，而位于该薄膜与本体之间的界面系实质地无除了矽以外的材料；以及形成于该薄膜上的一压电结构，其中该压电结构包含有一个第一导电层与一个压电材料。如申请专利范围第49项之装置，其中：该本体中的沟槽系提供一个或多个路径，各路径具有与该本体外部相通的入口与出口。如申请专利范围第50项之装置，其中：该一个或多个路径包含有变化深度的一个或多个区域。如申请专利范围第51项之装置，其中：各路径的出口为一喷嘴。如申请专利范围第52项之装置，其中：该喷嘴位于该本体的正对侧(相对于该薄膜)。如申请专利范围第53项之装置，其中：该薄膜可以小于1微米的厚度作改变。如申请专利范围第54项之装置，其中：该薄膜为实质地无开口。如申请专利范围第55项之装置，其中：该沟槽包含有邻接于该薄膜的抽汲舱。如申请专利范围第56项之装置，其中：该薄膜小于10微米厚。如申请专利范围第57项之装置，其中：该薄膜小于5微米厚。如申请专利范围第58项之装置，其中：该薄膜小于1微米厚。如申请专利范围第56项之装置，其中：该压电结构包含有第二导电层。如申请专利范围第60项之装置，其中：该压电材料位于该第一与第二导电层之间。 |
