| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一半导体基底；一反向性延伸金属氧化物半导体装置，包含：一闸极介电层，形成于该半导体基底的上方；一闸极电极，形成于该闸极介电层上；一第一轻掺杂汲/源极区域及一第二轻掺杂汲/源极区域，分别形成于该闸极电极两侧之半导体基底之中，且该些轻掺杂汲/源极区域具有一部份延伸至该闸极电极底下，其中该些轻掺杂汲/源极区域系一第一导电类型；一第一深汲/源极区域及一第二深汲/源极区域，分别形成于该闸极电极两侧之半导体基底之中，其中该第一、第二深汲/源极区域分别与该第一、第二轻掺杂汲/源极区域位于该闸极电极之同一侧，且该些深汲/源极区域系该第一导电类型；一嵌入区域，系该第二导电类型，且为由该半导体基底的一顶部表面、该第一轻掺杂汲/源极区域及该第一深汲/源极区域围绕的区域；及一袋状区域，系该第二导电类型，形成于该半导体基底之中，且该袋状区域具有一部份邻接于该第二轻掺杂汲/源极区域的一底部。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中第一导电类型系p型而第二导电类型系n型。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中第一导电类型系n型而第二导电类型系p型。如申请专利范围第1项所述之半导体装置，其中该些轻掺杂汲/源极区域、该些深汲/源极区域、该嵌入区域及该袋状区域形成于该半导体基底内之该第二导电类型的一次区域之中。如申请专利范围第4项所述之半导体装置，其中该次区域包括一井区域。一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体基底；形成一反向性延伸金属氧化物半导体装置，包含：形成一闸极介电层于该半导体基底的上方；形成一闸极电极于该闸极介电层上；分别形成一第一轻掺杂汲/源极区域及一第二轻掺杂汲/源极区域于该闸极电极两侧之半导体基底之中，且该些轻掺杂汲/源极区域具有一部份延伸至该闸极电极底下，其中该些轻掺杂汲/源极区域系一第一导电类型；分别形成一第一深汲/源极区域及一第二深汲/源极区域于该闸极电极两侧之半导体基底之中，其中该第一、第二深汲/源极区域分别与该第一、第二轻掺杂汲/源极区域位于该闸极电极之同一侧，且该些深汲/源极区域系该第一导电类型；形成一嵌入区域于一由该半导体基底的一顶部表面、该第一轻掺杂汲/源极区域及该第一深汲/源极区域围绕的区域，其中该嵌入区域为第二导电类型；及形成一袋状区域于该半导体基底之中，且该袋状区域具有一部份邻接于该第二轻掺杂汲/源极区域的一底部，其中该袋状区域为第二导电类型。如申请专利范围第6项所述之半导体装置的制造方法，其中第一导电类型系p型而第二导电类型系n型。如申请专利范围第6项所述之半导体装置的制造方法，其中第一导电类型系n型而第二导电类型系p型。如申请专利范围第6项所述之半导体装置的制造方法，其中该些轻掺杂汲/源极区域、该些深汲/源极区域、该嵌入区域及该袋状区域形成于该半导体基底内之该第二导电类型的一次区域之中。如申请专利范围第9项所述之半导体装置的制造方法，其中该次区域包括一井区域。 |
