| 主权项 |
一种半导体基底的制造方法，其包含下列步骤：将氢离子植入主动层之表面不具氧化物膜的晶圆以形成氢离子植入层，植入氢以外离子直至该氢离子植入表面端深度较该氢离子植入层浅的位置，层压该离子植入端之该主动层的该晶圆至支撑基底的晶圆，及接着于该氢离子植入层剥离该主动层的该晶圆，其中DO：氧离子之植入剂量，以致4.2×1014atoms/cm2<DO<2×1016atoms/cm2。一种半导体基底的制造方法，其包含下列步骤：将氢以外离子植入主动层之表面不具氧化物膜的晶圆直至较该主动层之该晶圆的剥离区浅的位置，将氢离子植入该剥离区以形成氢离子植入层，层压该离子植入端之该主动层的该晶圆至支撑基底的晶圆，及接着于该氢离子植入层剥离该主动层的该晶圆，其中DO：氧离子之植入剂量，以致4.2×1014atoms/cm2<DO<2×1016atoms/cm2。一种半导体基底的制造方法，其包含下列步骤：(i)于主动层之晶圆上形成氧化物膜，(ii)将氢离子植入该主动层的该晶圆以形成氢离子植入层，以自该氧化物膜喷溅第一量的氧(NIO)，(iii)植入氢以外离子直至该氢离子植入表面端深度较该氢离子植入层浅的位置，并自该氧化物膜喷溅第二量的氧(NHO)，(iv)从该主动层的该晶圆移除该氧化物膜，(v)层压该离子植入端之该主动层的该晶圆至支撑基底的晶圆，及接着(vi)于该氢离子植入层剥离该主动层的该晶圆，其中该第一量的氧及该第二量的氧系考量由下列方程式(I)所表示之产生抑制氢扩散之效果的总因子数(ND)及NID而决定：ND=NHO+NIO+NID………(I)其中ND：产生抑制氢扩散之效果的总因子数；NHO：经由氢离子植入而导入主动层的氧；NIO：经由氢以外离子植入而导入主动层的氧；NID：经由氢以外离子植入而导入主动层的缺陷，及其中ND>4.2×1014atoms/cm2。一种半导体基底的制造方法，其包含下列步骤：(i)于主动层之晶圆上形成氧化物膜，(ii)将氢以外离子植入主动层之表面不具氧化物膜的晶圆直至较该主动层之该晶圆的剥离区浅的位置，以自该氧化物膜喷溅第一量的氧(NIO)，(iii)将氢离子植入该剥离区以形成氢离子植入层，并自该氧化物膜喷溅第二量的氧(NHO)，(iv)从该主动层的该晶圆移除该氧化物膜，(v)层压该离子植入端之该主动层的该晶圆至支撑基底的晶圆，及接着(vi)于该氢离子植入层剥离该主动层的该晶圆，其中该第一量的氧及该第二量的氧系考量由下列方程式(I)所表示之产生抑制氢扩散之效果的总因子数(ND)及NID而决定：ND=NHO+NIO+NID………(I)其中ND：产生抑制氢扩散之效果的总因子数；NHO：经由氢离子植入而导入主动层的氧；NIO：经由氢以外离子植入而导入主动层的氧；NID：经由氢以外离子植入而导入主动层的缺陷，及其中ND>4.2×1014atoms/cm2。如申请专利范围第(1)至(4)项任一项之半导体基底的制造方法，其中于层压该主动层的该晶圆及该支撑基底的该晶圆之前实施电浆处理。 |
