| 主权项 |
一种可供处理工件的真空电浆处理器，包含：含有一电极之一真空电浆处理腔室，且该腔室配设一电抗物，而该电极与电抗物系被设成能耦接电浆激发电场于该腔室内的气体，该腔室系配置以容纳一工件；N个射频电源，其中该N系为一整数而具有至少3之值，该各电源系配置以发出一不同的射频；及一电路能将该N个射频电源之N个频率的电力经由该电极和电抗物供至该腔室中的一区域；该N个频率，在该各N个频率的电力，该电极、该电抗物，及该电路等，系被设成能：(a)使该电浆被激发至该各N个频率，及(b)阻止电力于不同于特定电源之射频相关联的频率之一频率来实质耦接于该各N个电源；且该等N个频率及该电路系被设成致使至少有26DB的功率衰减会被该电路所引入，俾阻止电力于不同于特定电源之射频相关联的频率之一频率来实质耦接于该各N个电源。如申请专利范围第1项之真空电浆处理器，其中该电路系被设成可供应该N个频率中之至少三者至该电极。如申请专利范围第2项之真空电浆处理器，其中该电路包含N个阻抗匹配网路，各阻抗匹配网路皆关联于该等电源中之一电源，并被设成可：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力耦接于该电极，及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以阻止在其它电源之频率的电力实质耦接于该匹配网路所关联的电源。如申请专利范围第3项之真空电浆处理器，其中N=3，而其频率为F1、F2、F3，其中F1是最低频率，F3是最高频率，F2则介于F1和F3之间，该第一、第二及第三频率系被设成在F1、F2、F3的各相邻对之间具有至少一倍频程差。如申请专利范围第4项之真空电浆处理器，其中F2系比F1至少更高一十倍。如申请专利范围第1项之真空电浆处理器，其中该电路包含N个阻抗匹配网路，各阻抗匹配网路皆关联于该等电源中之一者，并被设成可：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力耦接于该电极，及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以阻止在其它电源之频率的电力实质耦接于该匹配网路所对应的电源。如申请专利范围第6项之真空电浆处理器，其中该各阻抗匹配网路包含一电容装置与一电感器，该电感器被实质调谐成关联于该等匹配网路中之一特定者之电源的频率。如申请专利范围第7项之真空电浆处理器，其中该等射频电源具有在一范围内的可变频率，使得在相邻对的频率之间具有至少一倍频程差，并更包含用于该等电源的该等频率之一控制器，该控制器包含一感测器可判定该各电源之输出阻抗与在该电源的频率下被该电源所驱动的阻抗之间，在该电源的频率时之阻抗匹配程度，该控制器系能响应于在各频率所判定之阻抗匹配程度而来控制该等电源的频率。如申请专利范围第8项之真空电浆处理器，其中该等阻抗匹配网路各包含一固定的串联电容器，一可变并联电容器及一电感器，该控制器系能响应于在各频率所判定的阻抗匹配程度而来控制该可变并联电容器之值。如申请专利范围第9项之真空电浆处理器，其中N=3，而该各频率大约为2MHz、27MHz及60MHz，关联于2MHz和27MHz之电源的阻抗匹配网路含有与该各电源和该电极呈串联连接之电感器，而关联于60MHz之电源的阻抗匹配网路包含一分布电感；该关联于2MHz电源的阻抗匹配网路之电感器所具之一电感实质上大于关联于27MHz电源的阻抗匹配网路之电感器，而关联于27MHz电源的阻抗匹配网路之电感器所具之一电感实质上大于关联于60MHz电源的阻抗匹配网路之分布电感。如申请专利范围第10项之真空电浆处理器，其中该用来供应电力的电路系包含第一和第二滤波器分别对应于27MHz和60MHz的电源，该第一和第二滤波器系分别被设成能使来自27MHz电源和60MHz电源的电力无实质衰减地耦接于该电极，同时实质衰减来自2MHz电源的电力，且阻止该2MHz电源的电力被耦接于27MHz电源和60MHz电源。如申请专利范围第7项之真空电浆处理器，其中该等射频电源具有固定的频率，且各阻抗匹配网路皆包含一可变的串联电容器、一可变的并联电容器、及一电感器，并更包含用于该等可变电容器之一控制器，该控制器包含一感测器能测出该各电源之输出阻抗与在该电源的频率下被该电源所驱动的阻抗之间，在该电源的频率时之阻抗匹配程度，该控制器系能响应于在各频率所测出之阻抗匹配程度而来控制该等可变电容器。如申请专利范围第12项之真空电浆处理器，其中N=3，而该各频率大约为2MHz、27MHz及60MHz，关联于2MHz和27MHz之电源的阻抗匹配网路含有与该各电源和该电极呈串联连接之电感器，而关联于60MHz之电源的阻抗匹配网路包含一分布电感；该关联于2MHz电源的阻抗匹配网路之电感器所具之一电感实质上大于关联于27MHz电源的阻抗匹配网路之电感器，而关联于27MHz电源的阻抗匹配网路之电感器所具之一电感实质上大于关联于60MHz电源的阻抗匹配网路之分布电感。如申请专利范围第13项之真空电浆处理器，其中该用来供应电力的电路系包含第一和第二滤波器分别关联于27MHz和60MHz的电源，该等第一和第二滤波器系分别被设成能使来自27MHz电源和60MHz电源的电力无实质衰减地耦接于该电极，同时实质衰减来自2MHz电源的电力，且阻止该2MHz电源的电力被耦接于27MHz电源和60MHz电源。如申请专利范围第7项之真空电浆处理器，其中N=3，而该各频率大约为2MHz、27MHz及60MHz，关联于2MHz和27MHz之电源的阻抗匹配网路含有会与该各电源和该电极串联连接之电感器，而关联于60MHz之电源的阻抗匹配网路包含一分布电感；该关联于2MHz电源的阻抗匹配网路之电感器所具之一电感实质上大于关联于27MHz电源的阻抗匹配网路之电感器，而关联于27MHz电源的阻抗匹配网路之电感器所具之一电感实质上大于关联于60MHz电源的阻抗匹配网路之分布电感。如申请专利范围第15项之真空电浆处理器，其中该用来供应电力的电路系包括分别关联于27MHz和60MHz的电源之第一和第二滤波器，该等第一和第二滤波器系分别被设成能使来自27MHz电源和60MHz电源的电力无实质衰减地耦接于该电极，同时实质衰减来自2MHz电源的电力，且阻止该2MHz电源的电力被耦接于27MHz电源和60MHz电源。如申请专利范围第16项之真空电浆处理器，其中该用来供应电力的电路系包括并联地连接于关联于2MHz电源的阻抗匹配网路与该电极之间之一串联共振电路，该串联共振电路具有一共振频率介于2MHz与27MHz之间，而对在27MHz和60MHz时耦接于该电极的电力没有实质影响，同时有助于使该2MHz电源对与该电极相关联的寄生阻抗提供阻抗匹配。如申请专利范围第16项之真空电浆处理器，其中该用来供应电力的电路系包括并联地连接于关联于2MHz电源的阻抗匹配网路与该电极之间的一串联共振电路，该串联共振电路具有大约5MHz的共振频率。如申请专利范围第7项之真空电浆处理器，其中N=3，致使该等第一、第二和第三电源系被分别设成用以导出第一、第二和第三频率，且该第三频率系大于该第二频率，该第二频率系大于该第一频率，关联于该等第一、第二和第三电源的阻抗匹配网路乃包括分别与该等第一、第二、第三电源与该电极串联耦合之第一、第二及第三电感，关联于第一电源之阻抗匹配网路的电感系实质大于关联于该第二电源之阻抗匹配网路的电感；关联于该第二电源之阻抗匹配网路的电感系实质大于关联于该第三电源之阻抗匹配网路的电感。如申请专利范围第19项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路包括分别关联于该等第二和第三电源之第一和第二滤波器，且该等第一和第二滤波器系分别被设成能使来自该等第二电源和第三电源的电力无实质衰减地耦接于该电极，同时实质衰减来自该第一电源的电力，且阻止该第一电源的电力被耦接于第二和第三电源。如申请专利范围第20项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路包括并联地连接于该电极与关联于第一频率的阻抗匹配网路之间的一串联共振电路，该串联共振电路具有一共振频率介于该第一和第二频率之间，而对在第二和第三频率时耦接于该电极的电力没有实质影响，同时有助于使该第一频率对关联于该电极的寄生阻抗提供阻抗匹配。如申请专利范围第19项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路包含并联地连接于该电极与关联于第一频率的阻抗匹配网路之间的一串联共振电路，该串联共振电路具有一共振频率介于该第一和第二频率之间，而对在第二和第三频率时耦接于该电极的电力没有实质影响，同时有助于使该第一频率对关联于该电极的寄生阻抗提供阻抗匹配。如申请专利范围第1项之真空电浆处理器，其中N=3，致使该等第一、第二和第三电源系被分别设成用以导出第一、第二和第三频率，该第三频率系大于该第二频率，该第二频率系大于该第一频率，且该用来供应电力的电路包括分别关联于第二和第三电源之第一和第二滤波器，该等第一和第二滤波器系分别被设成能使来自该第二电源和该第三电源的电力无实质衰减地耦接于该电极，同时实质衰减来自该第一电源的电力，且阻止该第一电源的电力被耦接于第二和第三电源。如申请专利范围第23项之真空电浆处理器，其中该电路包括分别关联于第一、第二及第三电源之第一、第二及第三阻抗匹配网路，此等匹配网路被设成可：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力耦接于该电极，及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以阻止在其它电源之频率的电力被耦接于该匹配网路所关联的电源；且该第一滤波器包括并联连接于该第二电源与该第二阻抗匹配网路之间的一第一电感器，而第二滤波器包括并联连接于该第三电源与该第三阻抗匹配网路之间的一第二电感器。如申请专利范围第24项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路包含并联地连接于关联于该第一频率电源的阻抗匹配网路与该电极之间的一串联共振电路，该串联共振电路具有一共振频率介于该等第一和第二频率之间，而对在该等第二和第三频率时耦接于该电浆的电力没有实质影响，同时有助于使该第一频率对关联于该电极的寄生阻抗提供阻抗匹配。如申请专利范围第1项之真空电浆处理器，其中该电路包含N个阻抗匹配网路，各阻抗匹配网路皆关联于该等电源中之一者，并被设成可：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力耦接于该电极或电抗物，及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以阻止在其它电源之频率实质耦接的电力被耦接于关联于该匹配网路的该电源。如申请专利范围第26项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路包括并联地连接于该电极与关联于最低频率电源的阻抗匹配网路之间的一串联共振电路，该串联共振电路具有一共振频率介于最低和次低频率之间，而对在高于最低频率之任何频率时耦接于该电浆的电力没有实质影响，同时有助于该最低频率对关联于该电极的寄生阻抗提供阻抗匹配。如申请专利范围第27项之真空电浆处理器，其中电源i系被设成导出一射频Fi，其中i系为依序由1至N之各整数，且各阻抗匹配网路皆包括一串联电感，关联于电源i之阻抗匹配网路的串联电感系小于阻抗匹配网路1至(i-1)中之每一者的串联电感。如申请专利范围第26项之真空电浆处理器，其中电源i系被设成导出一射频Fi，其中i系为依序由1至N之各整数，且各阻抗匹配网路皆包括一串联电感，关联于电源i之阻抗匹配网路的串联电感系小于阻抗匹配网路1至(i-1)中之每一者的串联电感。如申请专利范围第1项之真空电浆处理器，其中该电抗物包含与前述的第一个述及之电极间隔分开之一第二电极，该电路包括一切换装置以供由该等电源中之至少一电源选择地供应电力至该第一个述及之电极或该第二电极。一种可供处理工件的真空电浆处理器，包含：含有一电极之一真空电浆处理腔室，且该腔室配设一电抗物，而该电极与电抗物系被设成能耦接电浆激发场于该腔室内的气体，该腔室系可容纳一工件；N个射频电源，该N系为一整数且具有至少3之值，该各电源系能发出一不同的射频，致使电源i能发出一射频Fi，其中i系由1至N之各连续整数，频率F1是最低频率，频率FN是最高频率，且该等频率会由F1至FN依序逐增；及一电路能将该N个射频电源之N个频率的电力经由该电极和电抗物供至该腔室中的一区域；该N个频率，在该各N个频率的电力，该电极、该电抗物，及该电路等，系被设成能：(a)使该电浆被激发至该各N个频率，及(b)阻止电力于不同于关联于特定电源的频率之一频率来实质耦接于该各N个电源；该电路包含N个阻抗匹配网路，各阻抗匹配网路系关联于该等电源中之一电源，并被设成能：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力耦接于该电极；及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以阻止在其它电源之频率的电力实质耦接于该匹配网路所关联的电源；该各阻抗匹配网路皆包含一串联电感，而关联于电源i之阻抗匹配网路的该串联电感系小于阻抗匹配网路1至(i-1)中之每一者的串联电感。如申请专利范围第31项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路系包括并联地连接于具有频率F1之电源所关联的阻抗匹配网路与该电极之间的一串联共振电路，且该串联共振电路具有一介于F1与F2之间的频率，而对在高于F1之任何频率时耦接于该电浆的电力没有实质影响，同时有助于使F1对关联于该电极的寄生阻抗提供阻抗匹配。如申请专利范围第32项之真空电浆处理器，其中该等阻抗匹配网路各皆包括一串联电容器与一并联电容器。如申请专利范围第33项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路包括分别关联于电源2至N之(N-1)个滤波器，该等(N-1)个滤波器系皆分别被设成能使来自电源2至N的电力无实质衰减地耦接于该电极或电抗物，同时实质衰减来自电源1的电力，以及阻止电源1的电力被耦接于电源2至N。如申请专利范围第31项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路包含分别关联于电源2至N之(N-1)个滤波器，该等(N-1)个滤波器系皆分别被设成能使来自电源2至N的电力无实质衰减地耦接于该电极或电抗物，同时实质衰减来自电源1的电力，以及阻止电源1的电力被耦接于电源2至N。如申请专利范围第35项之真空电浆处理器，其中该等滤波器各皆包含并联连接于关联于该滤波器的电源与关联于该电源的阻抗匹配网路之间的一电感器。如申请专利范围第31项之真空电浆处理器，其中该电抗物包括与前述的第一个述及之电极间隔分开之一第二电极，而该电路包括一切换装置以供由该等电源中至少一电源选择地供应电力至该第一个述及之电极或该第二电极。一种供处理工件的真空电浆处理器，其包含：含有一电极之一真空电浆处理腔室，该腔室配设一电抗物，而该电极与电抗物系被设成能耦接电浆激发场于该腔室内的气体，该腔室系可容纳一工件；N个射频电源，该N系为一整数且具有至少3之值，该各电源系能发出一不同的射频，致使电源i发出一射频Fi，其中i系由1至N之各连续整数，频率F1是最低频率，频率FN是最高频率，且该等频率会由F1至FN依序逐增；及一电路能将该N个射频电源之N个频率的电力经由该电极和电抗物供至该腔室中的一区域；该等N个频率，在该各N个频率的电力，该电极、该电抗物，及该电路等，系被设成能：(a)使该电浆被激发至该各N个频率，及(b)阻止电力于不同于关联于特定电源之频率的一频率来实质耦接于该各N个电源；该电路包含N个阻抗匹配网路，各阻抗匹配网路系关联于该等电源中之一电源，并被设成能：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力耦接于该电极；及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以阻止在其它电源之频率的电力实质耦接于该匹配网路所关联的该电源；用来供应电力的该电路系包括并联地连接于该电极与关联于具有频率F1之电源的该阻抗匹配网路之间的一串联共振电路，且该串联共振电路具有一频率介于F1和F2之间，以便对在高于F1之任何频率时耦接于该电浆的电力没有实质影响，同时有助于使该具有频率F1之电源对关联于该电极的寄生阻抗提供阻抗匹配。如申请专利范围第38项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路包含分别关联于电源2至N之(N-1)个滤波器，该等(N-1)个滤波器系皆分别被设成能使来自电源2至N的电力无实质衰减地耦接于该电极或电抗物，同时实质衰减来自电源1的电力，且阻止电源1的电力被耦接于电源2至N。如申请专利范围第38项之真空电浆处理器，其中该等滤波器中之各滤波器皆包含并联连接于该滤波器所关联的电源与关联于该电源的阻抗匹配网路之间的一电感器。一种可供处理工件的真空电浆处理器，包含：含有一电极之一真空电浆处理腔室，且该腔室配设一电抗物，而该电极与电抗物系被设成能耦接电浆激发场于该腔室内的气体，该腔室系可容纳一工件；N个射频电源，该N系为一整数且具有至少3之值，该各电源系能发出一不同的射频，致使电源i发出一射频Fi，其中i系连续由1至N之各整数，频率F1是最低频率，频率FN是最高频率，且该等频率会由F1至FN依序逐增；及一电路能将该N个射频电源之N个频率的电力经由该电极和电抗物供至该腔室中的一区域；该等N个频率，在该各N个频率的电力，该电极、该电抗物，及该电路等，系被设成能：(a)使该电浆被激发至该各N个频率，及(b)阻止电力于不同于关联于一特定射频电源之频率的一频率来实质耦接于该各N个电源；该电路包含N个阻抗匹配网路，各阻抗匹配网路系关联于该等电源中之一电源，并被设成能：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力耦接于该电极；及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以阻止在其它电源之频率的电力实质耦接于该匹配网路所关联的该电源；用来供应电力的该电路包括分别关联于电源2至N之(N-1)个滤波器，该等(N-1)个滤波器系皆被设成能使来自电源2至N的电力无实质衰减地耦接于该电极或电抗物，同时实质衰减来自电源1的电力，且阻止电源1的电力被耦接于电源2至N。如申请专利范围第41项之真空电浆处理器，其中该等滤波器中之各滤波器皆包括并联连接于该滤波器所关联的电源与该电源关联的阻抗匹配网路之间的一电感器。一种可供处理工件的真空电浆处理器，其包含：含有一电极之一真空电浆处理腔室，且该腔室配设一电抗物，而该电极与电抗物系被设成能耦接电浆激发场于该腔室内的气体，该腔室系可容纳一工件；N个射频电源，该N系为一整数且具有至少3之值，该各电源系能发出一不同的射频，而使电源i发出一射频Fi，其中i系连续由1至N之各整数，频率F1是最低频率，频率FN是最高频率，且该等频率会由F1至FN依序逐增；及一电路能将该N个射频电源之N个频率的电力经由该电极和电抗物供至该腔室中的一区域；该等N个频率，在该各N个频率的电力，该电极、该电抗物，及该电路等，系被设成能：(a)使该电浆被激发至该各N个频率，及(b)阻止电力于不同于关联于特定电源之频率的一频率来实质耦接于该各N个电源；该电路包含(N+k)个阻抗匹配网路，其中k系为一小于N的整数，该等N个阻抗匹配网路之每一者皆关联于该等电源中之一电源，并被设成能：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力耦接于该电极，及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以阻止在其它电源之频率的电力实质耦接于关联于该匹配网路之该电源；而该等k个阻抗匹配网路中之各网路系关联于k个电源中之一者，且被设成可：(a)将在其所关联频率的电浆激发电力耦接于该电抗物，及(b)充分地衰减在其它(k-1)个电源之频率的电力，以阻止在其它(k-1)个电源之频率的电力实质耦接于关联于该匹配网路之该电源；及一切换装置系能如下来供应电力：(a)由该等N个电源经由该等N个匹配网路供至该电极；或(b)由(i)该等k个电源中的j个电源经由j个该等匹配网路供至该电抗物，及(ii)由该等电源中之m个电源经由m个该等匹配网路供至该电极，其中j为由1至k中的任一整数，而m为由1至(N-k)中的任一整数。如申请专利范围第43项之处理器，其中N=3，j=k=1，m=2。一种可供处理工件的真空电浆处理器，其包含：含有顶电极和底电极之一真空电浆处理腔室，且该等电极系被设成能耦接电浆激发电场于该腔室内的气体，其该腔室系被设成可在该底电极之上容纳一工件；及三个射频电源，其使该工件相对该顶电极更实质地靠近该底电极，该各电源系配置以发出一不同的射频，致使电源1能发出一射频F1，电源2能发出一射频F2，电源3能发出一射频F3，其中频率F1是最低频率，频率F3是最高频率，且频率F2介在F1与F3之间，及一电路，系能将该三个频率的该三个电源的电力经由该等电极供至该腔室中的一区域，该电路系被设成能：(a)使该电浆被激发至该各3个频率，及(b)阻止电力在不同于关联于特定电源的频率之一频率来实质耦接于该各个电源；该电路包含三个阻抗匹配网路，各阻抗匹配网路系关联于该等电源中之一电源，并被设成能：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力经由该等电极耦接于该区域；及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以阻止在其它电源之频率的电力实质耦接于该匹配网路所关联的电源；该各阻抗匹配网路皆包含一具有一串联电感的元件，关联于电源2之阻抗匹配网路具有一串联电感，其系小于关联于电源1之阻抗匹配网路之串联电感，而关联于电源3之阻抗匹配网路具有一串联电感，其系小于关联于电源2之阻抗匹配网路之串联电感。如申请专利范围第45项之真空电浆处理器，其中该用来供应电力的电路系包括并联地连接于关联于电源1的阻抗匹配网路与该底电极之间之一串联共振电路，该串联共振电路具有一共振频率介于F1与F2之间，使得对在高于F1的任何频率时耦接于该电浆的电力没有实质影响，同时有助于使电源1对与该底电极相关联的寄生阻抗提供阻抗匹配。如申请专利范围第46项之真空电浆处理器，其中各个组抗匹配网路包含一串联电容器及一并联电容器。如申请专利范围第47项之真空电浆处理器，其中关联于电源2及电源3的该等匹配网路之串联电容器系在该关联的匹配网路的该等并联电容器与该底电极之间被连接成串联电路，而关联于电源1的该匹配网路之串联电容器系在电源1与该关联于电源1的该匹配网路之并联电容器之间被连接成串联电路。如申请专利范围第47项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路包括分别关联于电源2和电源3之第一和第二滤波器，且该等第一和第二滤波器系分别被设成能使来自电源2和电源3的电力无实质衰减地耦接于该底电极，且实质阻止该电源1的电力被耦接于电源2和电源3。如申请专利范围第49项之真空电浆处理器，其中该等第一和第二滤波器分别包含个别地与电源2和电源3的输出端相并联的第一和第二电感器。如申请专利范围第45项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路包括分别关联于电源2和电源3之第一和第二滤波器，且该等第一和第二滤波器系分别被设成能使来自电源2和电源3的电力无实质衰减地耦接于该底电极，且实质阻止该电源1的电力被耦接于电源2和电源3。如申请专利范围第45项之真空电浆处理器，其中该等三个频率为F2>2F1且F3>2F2。如申请专利范围第45项之真空电浆处理器，其中，根据一特殊方法来处理一工件期间，该等电源有固定的频率且该电路的阻抗有固定值。一种可供处理工件的真空电浆处理器，包含：含有顶电极和底电极之一真空电浆处理腔室，且该等电极系被设成能耦接电浆激发电场于该腔室内的气体，其该腔室系被设成可在该底电极之上容纳一工件；及三个射频电源，其使该工件相对该顶电极更实质地靠近该底电极，该各电源系能发出一不同的射频，致使电源1能发出一射频F1，电源2能发出一射频F2，电源3能发出一射频F3，其中频率F1是最低频率，频率F3是最高频率，且频率F2介在F1与F3之间；及一电路，系能将该三个频率的该三个电源的电力经由该等电极供至该腔室中的一区域，该电路系被设成能：(a)使该电浆被激发至该各3个频率，及(b)阻止电力在不同于关联于特定电源的频率之一频率来实质耦接于该各个电源；该电路包含三个阻抗匹配网路，各阻抗匹配网路系关联于该等电源中之一电源，并被设成能：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力经由该等电极耦接于该区域，及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以阻止在其它电源之频率的电力实质耦接于该匹配网路所关联的电源；用来供应电力的该电路，包括并联地连接于该底电极与关联于电源1的阻抗匹配网路之间的一串联共振电路，该串联共振电路具有一共振频率介于F1和F2之间，使得对在任何高于F1频率下耦接于该电浆的电力没有实质影响，同时有助于使该电源1对关联于该底电极的寄生阻抗提供阻抗匹配。如申请专利范围第54项之真空电浆处理器，其中用来供应电力的该电路包括分别关联于电源2和电源3之第一和第二滤波器，且该等第一和第二滤波器系分别被设成能使来自电源2和电源3的电力无实质衰减地耦接于该底电极，且实质阻止该电源1的电力被耦接于电源2和电源3。如申请专利范围第54项之真空电浆处理器，其中该等三个频率为F2>2F1且F3>2F2。如申请专利范围第54项之真空电浆处理器，其中，根据一特殊方法来处理一工件期间，该等电源有固定的频率且该电路的阻抗有固定值。一种可供处理工件的真空电浆处理器，包含：含有顶电极和底电极之一真空电浆处理腔室，且该等电极系被设成能耦接电浆激发电场于该腔室内的气体，其该腔室系被设成可在该底电极之上容纳一工件；及三个射频电源，其使该工件相对该顶电极更实质地靠近该底电极，该各电源系能发出一不同的射频，致使电源1能发出一射频F1，电源2能发出一射频F2，电源3能发出一射频F3，其中频率F1是最低频率，频率F3是最高频率，且频率F2介在F1与F3之间；及一电路，系能将该3个频率的该3个电源的电力供至该腔室中通过该等电极的一区域，该电路系被设成能：(a)使该电浆被激发至该各3个频率，及(b)阻止电力在不同于关联于特定电源的频率之一频率来实质耦接于该各个电源；该电路包含3个阻抗匹配网路，各阻抗匹配网路系关联于该等电源中之一电源，并被设成能：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力经由该等电极耦接于该区域，及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以阻止在其它电源之频率的电力实质耦接于该匹配网路所关联的电源；及用来供应电力的该电路，包含分别关联于电源2和电源3之第一和第二滤波器，且该等第一和第二滤波器系分别被设成能使来自电源2和电源3的电力无实质衰减地耦接于该底电极，且实质衰减电源1的电力以使能够实质阻止电源1的电力被耦接于电源2和电源3。如申请专利范围第58项之真空电浆处理器，其中该等滤波器各皆包含并联连接于关联于该滤波器的电源与关联于该电源的阻抗匹配网路之间的一电感器。如申请专利范围第58项之真空电浆处理器，其中，根据一特殊方法来处理一工件期间，该等电源有固定的频率且该电路的组抗有固定值。一种可供处理工件的真空电浆处理器，包含：含有顶电极和底电极之一真空电浆处理腔室，且该等电极系被设成能耦接电浆激发电场于该腔室内的气体，其该腔室系被设成可在该底电极之上容纳一工件且使该工件能相对该顶电极更实质地靠近该底电极；及第一、第二、第三射频电源，其各频率大约为2MHz、27MHz及60MHz；一电路，能将该第一、第二、第三射频电源之大约为2MHz、27MHz及60MHz频率的电力供至该底电极，该等频率、在该等频率的电力、该电极、及该电路，系被设成能：(a)使该电浆被激发至该各个频率，及(b)阻止电力于不同于特定电源之射频相关联的频率之一频率来实质耦接于该各个电源；该电路包含第一、第二、第三阻抗匹配网路，各阻抗匹配网路分别关联于该第一、第二、第三电源，并被设成可：(a)将在其所关联电源之频率的电浆激发电力耦接于该底电极，及(b)充分地衰减在其它电源之频率的电力，以实质阻止在其它电源之频率的电力实质耦接于该匹配网路所关联的电源，其中该等阻抗匹配网路各包含一固定的串联电容器，一可变并联电容器及一元件，该元件包含一个在相关连匹配网路和该电极之间被连接成串接电路的电容；一控制器配置，系能响应于用以储存不同腔室运作条件下之电容器之值的方法而来控制各该等可变并联电容器之值，以及，基于在各电源和该特殊电源驱动的负载间的阻抗匹配之一测量下，控制该等电源的频率；关联于该第一和第二电源的阻抗匹配网路含有在该各个电源与电极间呈串联连接之电感器，而关联于该第三电源的阻抗匹配网路包含一分布电感；该关联于该第二电源的阻抗匹配网路之电感器所具之一电感实质上大于关联于该第三电源的阻抗匹配网路之分布电感，而关联于该第一电源的阻抗匹配网路之电感器所具之一电感实质上大于关联于该第二电源的阻抗匹配网路之电感；用来供应电力的该电路，包含第一和第二并联电感器，该第一和第二并联电感器个别地跨接于该第二和第三电源的输出端点，该第一和第二并联电感器被个别地设成能使来自该第二电源和第三电源的电力无实质衰减地耦接于该底电极，同时实质衰减来自2MHz电源的电力，且阻止该第一电源的电力被耦接于第二电源和第三电源；及该用来供应电力的电路系包括并联地连接于关联于该第一电源的阻抗匹配网路与该电极之间之一串联共振电路，该串联共振电路具有一共振频率，其至少高于2MHz一倍频程差且至少低于27MHz一倍频程差。如申请专利范围第61项之真空电浆处理器，其中更包含连接该顶电极至RF接地的电路。如申请专利范围第62项之真空电浆处理器，其中该腔室包含第三和第四接地电极，该第三和第四接地电极分别围绕于该等底电极的顶部且与该顶电极与底电极近乎垂直地排列成行，且包含一用以实质限制该电浆至该等电极间区域的一遮板配置同时排光该区域的未游离气体。 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