| 主权项 |
一种光折射率调变聚合体，系以下式(1)：CH2=C(R1)C(=0)O-R2=CH2………(1)(式中，R1为氢原子或甲基，R2为碳数1~20之饱和或不饱和烃基，分子内亦可含有杂原子或卤素原子)所示之丙烯酸．乙烯基单体做为必须成分之单体的聚合体，其特征为，分子内残存自由基聚合性的侧链乙烯基，照射放射线时之折射率增加(△n)以照射前后为0.005以上(以根据m-Line法之TE型式测量)。如申请专利范围第1项之光折射率调变聚合体，其中，分子内之自由基聚合性的侧链乙烯基残存90%以上。如申请专利范围第1项之光折射率调变聚合体，其中，为(a)式(1)所示之丙烯酸．乙烯基单体的均质聚合体、(b)式(1)所示之丙烯酸．乙烯基单体之二种以上的共聚合体、或(c)式(1)所示之丙烯酸．乙烯基单体之一种或二种以上与此外之单体之一种或二种以上之共聚合体的任一者。如申请专利范围第1项之光折射率调变聚合体，其中，立体规则性系间规立体规正性(rr)为70%以上。如申请专利范围第1项之光折射率调变聚合体，其中，放射线为紫外线。如申请专利范围第5项之光折射率调变聚合体，其中，以10J/cm2以下之照射光量照射紫外线时之折射率增加(△n)于照射前后为0.005以上(以根据m-Line法之TE型式测量)。一种光折射率调变聚合体组成物，其特征为，含有如申请专利范围第1至6项中任一项之光折射率调变聚合体、和光引发剂、增感剂、链转移剂中选出至少一种，且照射放射线时之折射率增加(△n)于照射前后为0.005以上(以根据m-Line法之TE型式测量)。一种光折射率调变聚合体组成物，其特征为，系以下式(1)；CH2=C(R1)C(=0)O-R2=CH2………(1)(式中，R1为氢原子或甲基，R2为碳数1~20之饱和或不饱和烃基，分子内亦可含有杂原子或卤素原子)所示之丙烯酸．乙烯基单体做为必须成分之单体的聚合体，于分子内残存自由基聚合性之侧链乙烯基的聚合体、和光引发剂、增感剂、链转移剂中选出至少一种，且照射放射线时折射率增加(△n)于照射前后为0.005以上(以根据m-Line法之TE型式测量)。如申请专利范围第8项之光折射率调变聚合体组成物，其中，聚合体系于分子内之自由基聚合性的侧链乙烯基残存90%以上。如申请专利范围第8或9项之光折射率调变聚合体组成物，其中，聚合体为(a)式(1)所示之丙烯酸．乙烯基单体之均质聚合体、(b)式(1)所示之丙烯酸．乙烯基单体之二种以上的共聚合体、或(c)式(1)所示之丙烯酸．乙烯基单体之一种或二种以上与此外之单体之一种或二种以上之共聚合体的任一者。如申请专利范围第8或9项之光折射率调变聚合体组成物，其中，聚合体之立体规则性系间规立体规正性(rr)为70%以上。如申请专利范围第8或9项之光折射率调变聚合体组成物，其中，放射线为紫外线。如申请专利范围第12项之光折射率调变聚合体组成物，其中，以10J/cm2以下之照射光量照射紫外线时之折射率增加(△n)于照射前后为0.005以上(以根据m-Line之TE型式测量)。一种折射率控制方法，其特征为，对于如申请专利范围第1至6项中任一项之光折射率调变聚合体或如申请专利范围第8或9项之光折射率调变聚合体组成物，经由照射放射线，使得折射率增加(△n)于照射前后为0.005以上(以根据m-Line法之TE型式测量)。如申请专利范围第14项之折射率控制方法，其中，放射线为紫外线。如申请专利范围第15项之折射率控制方法，其中，紫外线之照射光量为10J/cm2以下。一种光折射率调变聚合体之制造方法，其特征为，令下式(1)；CH2=C(R1)C(=0)O-R2=CH2………(1)(式中，R1为氢原子或甲基，R2为碳数1~20之饱和或不饱和烃基，分子内亦可含有杂原子或卤素原子)所示之丙烯酸．乙烯基单体做为必须成分之单体，使用以稀土类金属为活性中心之金属错合物触媒做为聚合引发剂，进行阴离子聚合而取得如申请专利范围第1至6项中任一项之光折射率调变聚合体。如申请专利范围第17项之光折射率调变聚合体之制造方法，其中，以稀土类金属为活性中心之金属错合物触媒为下式(2)所示之金属错合物化合物；(Cp1)(Cp2)Mr-(R)p．(L)q………(2)(式中，Cp1、Cp2彼此独立为未取代之环戊二烯基或经取代之环戊二烯基，Cp1与Cp2为直接或透过连结基结合亦可；Mr为r价之稀土类金属原子且r为2~4之整数；R为氢原子或碳数1~3之直链烷基；L为具有配位能之溶剂；p为R之数量，q为L之数量，且分别为0~2之整数，相对于上述r以r=p+2般选择)。 |
