| 主权项 |
一种用于操作一具有一非挥发性记忆体单元阵列之非挥发性记忆体储存系统之方法，其包含：接收一写入指令以在该非挥发性记忆体单元阵列中写入复数个资料，该写入指令经配置一逾时周期以完成该写入指令之一执行；在该逾时周期内执行一废弃项目收集操作之一部分；若该废弃项目收集操作无法在该逾时周期内完成，则在稍后逾时周期中执行该废弃项目收集操作之剩余部分；及在该逾时周期之前及之后，将该复数个资料储存于该非挥发性记忆体单元阵列之一缓冲器中。如请求项1之方法，其中该缓冲器为一写入缓冲器区块。一种用于操作一具有一非挥发性记忆体单元阵列之非挥发性记忆体储存系统之方法，其包含：接收一写入指令以在该非挥发性记忆体单元阵列中写入复数个资料，该写入指令经配置一逾时周期以完成该写入指令之一执行；维持一忙录中信号；在一废弃项目收集时间周期中将复数个有效资料之一部分自一或多个第一区块复制至一第二区块；将该复数个资料写入至一第三区块，该第三区块经组态以跨越复数个逻辑位址；及在该逾时周期到期之前释放该忙录中信号，其中该第一区块、该第二区块、与该第三区块系在该非挥发性记忆体储存系统中。如请求项3之方法，其进一步包含将该第三区块保持在该非挥发性记忆体储存系统中。如请求项3之方法，其中该复制该复数个有效资料之该部分包含：追踪一用于将该复数个有效资料之该部分自该一或多个第一区块复制至该第二区块之时间；及在该时间超过该废弃项目收集时间周期之前，停止该复制该复数个有效资料之该部分。如请求项3之方法，其进一步包含：在该复制该复数个有效资料之该部分及将该复数个资料写入至该第三区块之前，估计一用于该写入指令之该执行之执行时间，其中若该执行时间超过该逾时周期，则复制该复数个有效资料之该部分且将该复数个资料写入至该第三区块。如请求项3之方法，其中该非挥发性记忆体储存系统包含复数个缓冲级，该第三区块与该复数个缓冲级之一者相关联。如请求项3之方法，其中该写入该复数个资料包含：将该复数个资料写入至一高速暂存式区块；及将该复数个资料自该高速暂存式区块复制至该第三区块。如请求项8之方法，其中将该复数个资料复制至一与该高速暂存式区块相关联之区段。如请求项8之方法，其中当一与该高速暂存式区块相关联之页满时，将该复数个资料自该高速暂存式区块复制至该第三区块，该页经组态以包括该复数个资料。如请求项8之方法，其中该高速暂存式区块与一第一缓冲级相关联，且该第三区块与一第二缓冲级相关联。如请求项3之方法，其中该写入该复数个资料包含：将该复数个资料写入至一第一缓冲级；及将该复数个资料自该第一缓冲级复制至该第三区块，该第三区块与一第二缓冲级相关联。如请求项3之方法，其中该废弃项目收集时间周期为该逾时周期与一相关联于该写入该复数个资料之程式化时间之间的一差值。如请求项3之方法，其中该第三区块为一写入缓冲器区块。如请求项3之方法，其中该第三区块经组态以跨越一整个逻辑位址空间。如请求项3之方法，其中该第三区块包含复数个页，且其中该复数个页中之每一者经编索引。如请求项3之方法，其中该第三区块包含复数个区段，且其中该复数个区段中之每一者经编索引。如请求项3之方法，其中该写入指令为一单区段写入指令。一种用于操作一具有一非挥发性记忆体单元阵列之非挥发性记忆体储存系统之方法，其包含：接收一第一单区段写入指令以在该非挥发性记忆体单元阵列中写入第一复数个资料，该第一单区段写入指令经配置一第一逾时周期以完成该第一单区段写入指令之一第一执行；维持一第一忙录中信号；在一废弃项目收集时间周期中将复数个有效资料之一第一部分自一或多个第一区块复制至一第二区块；将该第一复数个资料写入至一写入缓冲器区块，该写入缓冲器区块经组态以跨越复数个逻辑位址；在该第一逾时周期到期之前释放该第一忙录中信号；接收一第二单区段写入指令以写入第二复数个资料，该第二单区段写入指令系在该接收该第一单区段写入指令之后而接收的，该第二单区段写入指令经配置一第二逾时周期以完成该第二单区段写入指令之一第二执行；维持一第二忙录中信号；在该废弃项目收集时间周期中将该复数个有效资料之一第二部分自该一或多个第一区块复制至该第二区块；及在该第二逾时周期到期之前释放该第二忙录中信号，其中该第一区块与该第二区块系在该非挥发性记忆体储存系统中。如请求项19之方法，其进一步包含将该第二复数个资料写入至该写入缓冲器区块。如请求项19之方法，其进一步包含将该第二复数个资料写入至一更新区块。如请求项19之方法，其进一步包含在该复制该复数个有效资料之该第二部分之后释放该一或多个第一区块。如请求项22之方法，其中若该复数个有效资料之该第二部分为该复数个有效资料之一最后部分，则擦除该一或多个第一区块。如请求项19之方法，其进一步包含将该第一复数个资料自该写入缓冲器区块复制至一更新区块。如请求项19之方法，其中将该第一复数个资料写入至该写入缓冲器区块包含：将该第一复数个资料写入至一高速暂存式区块之一区段，其中一与该区段相关联之页包含复数个区段；及当与该页相关联之该复数个区段经填满时将该页复制至该写入缓冲器区块。如请求项19之方法，其中该写入缓冲器区块系针对一区段级索引而组态。如请求项19之方法，其中该写入缓冲器区块系针对一页边界索引而组态。如请求项19之方法，其中该写入缓冲器区块包含复数个区段及复数个附加区段，该复数个区段大于该非挥发性记忆体储存系统中之元区块之一总数。一种非挥发性记忆体储存系统，其包含：一记忆体，其经组态以储存一储存系统韧体；一非挥发性记忆体单元阵列，其经组态以保持一缓冲器；及一处理器，其与该记忆体及该非挥发性记忆体单元阵列通信，该处理器经组态以执行储存于该记忆体中之该储存系统韧体，该储存系统韧体包含用于以下操作之程式指令：接收一写入指令以在该非挥发性记忆体单元阵列中写入复数个资料，该写入指令经配置一逾时周期以完成该写入指令之一执行，在该逾时周期内执行一废弃项目收集操作之一部分，若该废弃项目收集操作无法在该逾时周期内完成，则在稍后逾时周期中执行该废弃项目收集操作之剩余部分；及在该逾时周期之前及之后，将该复数个资料储存于该非挥发性记忆体单元阵列之该缓冲器中。一种非挥发性记忆体储存系统，其包含：一记忆体，其经组态以储存一储存系统韧体；一非挥发性记忆体单元阵列，其经组态以保持一写入缓冲器区块，该写入缓冲器区块经组态以跨越复数个逻辑位址；及一处理器，其与该记忆体及该非挥发性记忆体单元阵列通信，该处理器经组态以执行储存于该记忆体中之该储存系统韧体，该储存系统韧体包含用于以下操作之程式指令：接收一写入指令以在该非挥发性记忆体单元阵列中写入复数个资料，该写入指令经配置一逾时周期以完成该写入指令之一执行，维持一忙录中信号，在一废弃项目收集时间周期中执行一废弃项目收集操作之一部分，将该复数个资料写入至该写入缓冲器区块，及在该逾时周期到期之前释放该忙录中信号。如请求项30之非挥发性记忆体储存系统，其中用于在该废弃项目收集时间周期中执行该废弃项目收集操作之该部分之该等程式指令包含：用于在该废弃项目收集时间周期中将复数个有效资料之一部分自一或多个第一区块复制至一第二区块之程式指令，其中该第一区块与该第二区块系在该非挥发性记忆体储存系统中。如请求项30之非挥发性记忆体储存系统，其中该储存系统韧体进一步包含用于以下操作之程式指令：在该执行该废弃项目收集操作之该部分及将该复数个资料写入至该写入缓冲器区块之前，估计一用于该写入指令之该执行之执行时间，其中若该执行时间大于该逾时周期，则执行该废弃项目收集操作之该部分，且将该复数个资料写入至该写入缓冲器区块。如请求项30之非挥发性记忆体储存系统，其中用于将该复数个资料写入至该写入缓冲器区块之该等程式指令包含用于以下操作之程式指令：将该复数个资料写入至一高速暂存式区块；及将该复数个资料自该高速暂存式区块复制至该写入缓冲器区块。如请求项30之非挥发性记忆体储存系统，其中该写入缓冲器区块包含复数个页，且其中该复数个页中之每一者经编索引。如请求项30之非挥发性记忆体储存系统，其中该写入缓冲器区块包含复数个区段，且其中该复数个区段中之每一者经编索引。如请求项30之非挥发性记忆体储存系统，其中该写入缓冲器区块包含复数个区块。一种非挥发性记忆体储存系统，其包含：一唯读记忆体(ROM)，其经组态以储存一储存系统韧体；一记忆体单元阵列，其经组态以保持一写入缓冲器区块，该写入缓冲器区块经组态以跨越复数个逻辑位址；一非挥发性记忆体单元阵列；及一处理器，其与该ROM、该记忆体单元阵列及该非挥发性记忆体单元阵列通信，该处理器经组态以执行储存于该ROM中之该储存系统韧体，该储存系统韧体包含用于以下操作之程式指令：接收一第一写入指令以将第一复数个资料写入至该非挥发性记忆体单元阵列，该第一写入指令经配置一第一逾时周期以完成该第一写入指令之一第一执行；维持一第一忙录中信号，在一废弃项目收集时间周期中将复数个有效资料之一第一部分自一或多个第一区块复制至一第二区块，将该第一复数个资料写入至该写入缓冲器区块，在该第一逾时周期到期之前释放该第一忙录中信号，接收一第二写入指令以将第二复数个资料写入至该非挥发性记忆体单元阵列，该第二写入指令系在该接收该第一写入指令之后而接收的，该第二写入指令经配置一第二逾时周期以完成该第二写入指令之一第二执行，维持一第二忙录中信号，在该废弃项目收集时间周期中将该复数个有效资料之一第二部分自该一或多个第一区块复制至该第二区块，及在该第二逾时周期到期之前释放该第二忙录中信号，其中该第一区块与该第二区块系在该非挥发性记忆体储存系统中。如请求项37之非挥发性记忆体储存系统，其中该储存系统韧体进一步包含用于将该第二复数个资料写入至该写入缓冲器区块之程式指令。如请求项37之非挥发性记忆体储存系统，其中该储存系统韧体进一步包含用于将该第二复数个资料写入至一更新区块之程式指令。如请求项37之非挥发性记忆体储存系统，其中该储存系统韧体进一步包含用于以下操作的程式指令：若该复数个有效资料之该第二部分为该复数个有效资料之一最后部分，则擦除该一或多个第一区块。如请求项37之非挥发性记忆体储存系统，其中该储存系统韧体进一步包含用于将该第一复数个资料自该写入缓冲器区块复制至一更新区块之程式指令。如请求项37之非挥发性记忆体储存系统，其中该写入缓冲器区块包含复数个页，且其中该第一复数个资料被写入至一相关联于该写入缓冲器区块之第一页，且该第二复数个资料被写入至一相关联于该写入缓冲器区块之第二页。如请求项37之非挥发性记忆体储存系统，其中该写入缓冲器区块包含复数个区段，且其中该第一复数个资料被写入至一相关联于该写入缓冲器区块之第一区段，且该第二复数个资料被写入至一相关联于该写入缓冲器区块之第二区段。如请求项37之非挥发性记忆体储存系统，其中该非挥发性记忆体储存系统包含复数个缓冲级，该写入缓冲器区块与该复数个缓冲级之一者相关联。如请求项37之非挥发性记忆体储存系统，其中用于将该第一复数个资料写入至该写入缓冲器区块之该等程式指令包含用于以下操作之程式指令：将该第一复数个资料写入至一高速暂存式区块之一区段，其中一与该区段相关联之页包含复数个区段；及当与该页相关联之该复数个区段经填满时，将该页复制至该写入缓冲器区块。如请求项45之非挥发性记忆体储存系统，其中该高速暂存式区块与一第一缓冲级相关联，且该写入缓冲器区块与一第二缓冲级相关联。如请求项37之非挥发性记忆体储存系统，其中用于写入该复数个资料之该等程式指令包含用于以下操作之程式指令：将该复数个资料写入至一第一缓冲级；及将该复数个资料自该第一缓冲级复制至该写入缓冲器区块，该写入缓冲器区块与一第二缓冲级相关联。一种非挥发性记忆体储存系统，其包含：一记忆体，其经组态以储存一储存系统韧体；一非挥发性记忆体单元阵列，其经组态以保持一写入缓冲器区块，该写入缓冲器区块经组态以跨越复数个逻辑位址；及一处理器，其与该记忆体及该非挥发性记忆体单元阵列通信，该处理器经组态以执行储存于该记忆体中之该储存系统韧体，该储存系统韧体包含用于以下操作之程式指令：接收一写入指令以在该非挥发性记忆体单元阵列中写入复数个资料，该非挥发性记忆体单元阵列经配置一逾时周期以完成该写入指令之一执行，维持一忙录中信号，在一废弃项目收集时间周期中将复数个有效资料之一部分自一或多个第一区块复制至一第二区块，将该复数个资料写入至该写入缓冲器区块，及在该逾时周期到期之前释放该忙录中信号，其中该第一区块与该第二区块系在该非挥发性记忆体储存系统中。如请求项48之非挥发性记忆体储存系统，其中用于复制该复数个有效资料之该部分之该等程式指令包含用于以下操作之程式指令：追踪一用于将该复数个有效资料之该部分自该一或多个第一区块复制至该第二区块之时间；及在该时间超过该废弃项目收集时间周期之前，停止该复制该复数个有效资料之该部分。如请求项48之非挥发性记忆体储存系统，其中该储存系统韧体进一步包含用于以下操作之程式指令：在该复制该复数个有效资料及该写入该复数个资料之前，估计一用于该写入指令之该执行之执行时间，其中若该执行时间超过该逾时周期，则复制该复数个有效资料之该部分，且将该复数个资料写入至该写入缓冲器区块。如请求项48之非挥发性记忆体储存系统，其中用于写入该复数个资料之该部分之该等程式指令包含用于以下操作之程式指令：提供一包含一页之高速暂存式区块，该页包含复数个区段；将该复数个资料写入至一相关联于该页之区段；及当该页满时将该页自该高速暂存式区块复制至该写入缓冲器区块。如请求项48之非挥发性记忆体储存系统，其中该废弃项目收集时间周期为该逾时周期与一相关联于该写入该复数个资料之程式化时间之间的一差值。如请求项48之非挥发性记忆体储存系统，其中该写入缓冲器区块经组态以跨越一整个逻辑位址空间。如请求项48之非挥发性记忆体储存系统，其中该写入缓冲器区块系针对一区段级索引而组态。如请求项48之非挥发性记忆体储存系统，其中该写入缓冲器区块系针对一页边界索引而组态。如请求项48之非挥发性记忆体储存系统，其中该储存系统韧体进一步包含用于将复数个区段配置给该写入缓冲器区块之程式指令，该复数个区段大于该非挥发性记忆体储存系统中之元区块之一总数。 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