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一种电荷陷捕型非挥发性记忆体元件之编程方法，该方法包含：施加编程脉冲至选择记忆格；施加去陷捕脉冲至该选择记忆格；及施加编程确认脉冲至该选择记忆格；其中该去陷捕脉冲之电压准位低于该编程脉冲之电压准位，且高于该编程确认脉冲之电压准位。如申请专利范围第1项之编程方法，其中施加该去陷捕脉冲，以从选择记忆格中移除浅陷捕电荷。如申请专利范围第1项之编程方法，其中连续重覆施加该编程脉冲、该去陷捕脉冲及该编程确认脉冲，直到完成编程操作。如申请专利范围第1项之编程方法，其中该去陷捕脉冲之脉冲宽度宽于该编程确认脉冲之脉冲宽度。如申请专利范围第1项之编程方法，其中该去陷捕脉冲之脉冲宽度大体上相同于该编程确认脉冲之脉冲宽度。如申请专利范围第1项之编程方法，其中该去陷捕脉冲之电压准位低于该编程脉冲之电压准位，且大体上相同于通过电压之电压准位。如申请专利范围第1项之编程方法，其中该去陷捕脉冲之电压准位低于该编程脉冲之电压准位，且高于该通过电压之电压准位。如申请专利范围第1项之编程方法，其中该去陷捕脉冲之脉冲宽度系宽于该编程确认脉冲之脉冲宽度，及该去陷捕脉冲之电压准位低于该编程脉冲之电压准位且大体上相同于该通过电压之电压准位。如申请专利范围第1项之编程方法，其中该去陷捕脉冲之脉冲宽度系宽于该编程确认脉冲之脉冲宽度，及该去陷捕脉冲之电压准位低于该编程脉冲之电压准位且高于该通过电压之电压准位。一种电荷陷捕型非挥发性记忆体元件，包含：记忆格阵列；及高压产生器，用以供应去陷捕脉冲至记忆格阵列中之记忆格；其中该去陷捕脉冲之电压准位低于该编程脉冲之电压准位，且高于该编程确认脉冲之电压准位。如申请专利范围第10项之电荷陷捕型非挥发性记忆体元件，其中于编程脉冲之应用与编程确认脉冲之应用间施加该去陷捕脉冲。如申请专利范围第10项之电荷陷捕型非挥发性记忆体元件，其中该去陷捕脉冲之脉冲宽度系宽于该编程确认脉冲之脉冲宽度。如申请专利范围第10项之电荷陷捕型非挥发性记忆体元件，其中该去陷捕脉冲之电压准位低于该编程脉冲之电压准位，且大体上相同于或高于通过电压之电压准位。如申请专利范围第10项之电荷陷捕型非挥发性记忆体元件，其中该去陷捕脉冲之脉冲宽度系宽于该编程确认脉冲之脉冲宽度，及该去陷捕脉冲之电压准位低于该编程脉冲之电压准位且大体上相同于或高于通过电压之电压准位。 |
