| 主权项 |
一种快闪记忆体的制作方法，包含：提供一基材，其上依次形成有一牺牲氧化物层、一牺牲多晶矽层、一第一硬遮罩层与一第一沟渠，该第一沟渠暴露部分的该基材；将该第一沟渠填满一第一氧化物层；移除该第一硬遮罩层与该牺牲多晶矽层以形成一第二沟渠并暴露出该牺牲氧化物层；于该牺牲氧化物层上以及该第一氧化物层上顺应性的沉积一补充氧化物层(make－up oxide layer)；移除该牺牲氧化物层上与该第一氧化物层之一顶面上之该补充氧化物层、以及该牺牲氧化物层，以形成一补充侧壁子(make－up spacer)作为一浅沟渠隔离氧化物侧壁子，并暴露出该基材；于该基材上形成一浮动闸氧化物层；将该第二沟渠中填满一浮动闸多晶矽层；以及于该第一氧化物层之该顶面上以及该浮动闸多晶矽层上形成一第二硬遮罩层。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中该基材包含矽。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中该牺牲多晶矽层包含未掺杂多晶矽。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中该第一硬遮罩层包含氮化矽。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中该第一沟渠暴露该基材之深度约为1800@sIMGCHAR!d10020.TIF@eIMG!－2600@sIMGCHAR!d10021.TIF@eIMG!。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中使用高密度电浆(high density plasma)使得该第一沟渠中填满该第一氧化物层。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中使用磷酸来移除该第一硬遮罩层。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中使用含氟的液体或是硷性液体来移除该牺牲多晶矽层。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中使用一低压化学气相沉积法(LPCVD)来沉积该补充氧化物层。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中使用一电浆辅助化学气相沉积法(PECVD)来沉积该补充氧化物层。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中该补充氧化物层之厚度约为200@sIMGCHAR!d10022.TIF@eIMG!－300@sIMGCHAR!d10023.TIF@eIMG!。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中使用一乾蚀刻法来移除该补充氧化物层。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中使用一常压炉管氧化法来形成该浮动闸氧化物层。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中该浮动闸氧化物层之厚度约为70@sIMGCHAR!d10024.TIF@eIMG!－100@sIMGCHAR!d10025.TIF@eIMG!。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中使用一原位掺杂(in－situ)法将该第二沟渠中填满该浮动闸多晶矽层。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中该第二硬遮罩层包含氮化矽。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中该第一氧化物层形成一梯形，且该梯形之底部较其顶部为小。如请求项1之快闪记忆体的制作方法，其中该第一氧化物层与该补充侧壁子共同形成一梯形，且该梯形之底部较其顶部为大。 |
