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一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一基板；于该基板上依序形成一绝缘层、一导电层和一矽化物层；于该矽化物层上形成一硬遮罩层，并暴露出部分该矽化物层；进行一第一蚀刻步骤，移除未被该硬遮罩层覆盖的该矽化物层及其底下之该导电层，以形成一闸极叠层结构；以及利用包括氢氧化铵(NH4OH)的一蚀刻剂，进行一第二蚀刻步骤，以移除在该第一蚀刻步骤中，可能残余之未被该硬遮罩层覆盖的该导电层，其中该第二蚀刻步骤系移除厚度介于5至100的该导电层。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中更包括：进行一第三蚀刻步骤，侧向移除部分该闸极叠层结构的该矽化物层。如申请专利范围第2项所述之半导体装置的制造方法，其中该第三蚀刻步骤系利用包括氢氧化铵/过氧化氢/去离子水(NH4OH/H2O2/H2O)的溶液，体积比为1：1：5。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该第二蚀刻步骤的温度范围介于20℃至30℃之间。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该蚀刻剂的氢氧化铵(NH4OH)的重量百分比浓度(wt%)介于35 wt%至45 wt%之间。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该蚀刻剂为包括氢氧化铵(NH4OH)和水的溶液，体积比介于1：100至1：200之间。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该绝缘层为氧化物。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该导电层包括矽、多晶矽或非晶矽。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该矽化物层为一矽化钨。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该硬遮罩层为一氮化物。 |
