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一种场发射元件，其改进在于，该场发射元件包括一支撑体线材及一奈米碳管场发射层，该奈米碳管场发射层为缠绕于所述支撑体线材外表面的单层或多层奈米碳管薄膜，该奈米碳管薄膜包含大量奈米碳管束，该大量奈米碳管束端部首尾相连。如申请专利范围第1项所述的场发射元件，其中，所述大量奈米碳管束沿同一方向排列。如申请专利范围第1项所述的场发射元件，其中，所述奈米碳管薄膜是从奈米碳管阵列中抽拉获得。如申请专利范围第3项所述的场发射元件，其中，所述奈米碳管薄膜系由超顺排奈米碳管阵列拉出连续的奈米碳管线形成的带状奈米碳管薄膜。如申请专利范围第1项所述的场发射元件，其中，该奈米碳管薄膜包括复数奈米碳管，该奈米碳管薄膜的厚度为5奈米~10微米。如申请专利范围第5项所述的场发射元件，其中，该奈米碳管直径为0.5奈米~100奈米。如申请专利范围第1项所述的场发射元件，其中，该支撑体线材材料为铜、银、金、镍、钼、玻璃或陶瓷。一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑体线材；在该支撑体线材外表面形成一奈米碳管场发射层；按照预定长度切割该外表面形成有奈米碳管场发射层的支撑体线材，并在切割后对其进行表面处理，形成场发射元件。如申请专利范围第8项所述的场发射元件的制备方法，其中，该切割方法包括机械剪切或镭射切割。如申请专利范围第8项所述的场发射元件的制备方法，其中，该表面处理方法包括镭射照射、机械摩擦或大电流场发射老化。如申请专利范围第8项所述的场发射元件的制备方法，其中，该奈米碳管场发射层为奈米碳管薄膜层。如申请专利范围第11项所述的场发射元件的制备方法，其中，该奈米碳管薄膜层作为奈米碳管场发射层的制备方法包括以下步骤：通过一镊子夹住或用胶带粘取奈米碳管阵列中一定宽度的一束奈米碳管，施加外力抽拉形成一带状奈米碳管薄膜；将该带状奈米碳管薄膜缠绕于支撑体线材的外表面；将缠绕后的支撑体线材浸入有机溶剂，形成奈米碳管场发射层。如申请专利范围第12项所述的场发射元件的制备方法，其中，该带状奈米碳管薄膜可在支撑体线材的外表面缠绕单层或多层。 |
