| 主权项 |
一种导体结构的制作方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有一导体层；于该基底上形成多个图案化罩幕层；于该些图案化罩幕层之侧壁形成多个间隙壁，其中，具有该些间隙壁之两相邻该些图案化罩幕层之间具有一间隙；于该基底上形成一硬罩幕层，填入该间隙，该硬罩幕层的尺寸小于该些图案化罩幕层的尺寸；移除该些图案化罩幕层以及该些间隙壁；以及以该硬罩幕层为罩幕，移除暴露出的该导体层，形成一导体结构。如申请专利范围第1项所述之导体结构的制作方法，其中该硬罩幕层的形成方法包括：于该导体层上形成一硬罩幕材料层，该硬罩幕材料层覆盖该些图案化罩幕层以及该些间隙壁；以及以该些图案化罩幕层以及该些间隙壁为蚀刻终止层，移除部份该硬罩幕材料层。如申请专利范围第2项所述之导体结构的制作方法，更包括移除部份该硬罩幕材料层至完全暴露出该些间隙壁的上部。如申请专利范围第1项所述之导体结构的制作方法，其中移除该些图案化罩幕层以及该些间隙壁的方法包括：进行一第一湿式蚀刻制程，以移除该些图案化罩幕层；以及进行一第二湿式蚀刻制程，以移除该些间隙壁。如申请专利范围第1项所述之导体结构的制作方法，更包括于形成该导体结构之后，移除该硬罩幕层。如申请专利范围第1项所述之导体结构的制作方法，其中该硬罩幕层与该导体层、该硬罩幕层与该些图案化罩幕层以及该硬罩幕层与该些间隙壁具有不同之蚀刻选择性。如申请专利范围第1项所述之导体结构的制作方法，其中该导体结构包括导线。如申请专利范围第1项所述之导体结构的制作方法，其中该导体结构包括闸极。如申请专利范围第8项所述之导体结构的制作方法，其中该导体层由下而上依序包括多晶矽层以及矽化金属层。如申请专利范围第1项所述之导体结构的制作方法，其中该基底与该导体层之间已形成有一介电层。如申请专利范围第1项所述之导体结构的制作方法，其中该导体层的材料包括金属、多晶矽或是矽化金属。如申请专利范围第1项所述之导体结构的制作方法，其中该些图案化罩幕层的材料包括多晶矽。如申请专利范围第1项所述之导体结构的制作方法，其中该些间隙壁的材料包括氮化矽。如申请专利范围第1项所述之导体结构的制作方法，其中该硬罩幕层的材料包括硼磷矽玻璃。一种硬罩幕层的制作方法，包括：于一基底上形成多个图案化罩幕层；于该些图案化罩幕层之侧壁形成多个间隙壁，其中，具有该些间隙壁之两相邻该些图案化罩幕层之间具有一间隙；于该基底上形成一硬罩幕材料层，覆盖该些图案化罩幕层与该些间隙壁；以该些图案化罩幕层与该些间隙壁为蚀刻终止层，移除部份该硬罩幕材料层；以及移除该些图案化罩幕层以及该些间隙壁，以形成一硬罩幕层，该硬罩幕层的尺寸小于该些图案化罩幕层的尺寸。如申请专利范围第15项所述之硬罩幕层的制作方法，更包括移除部份该硬罩幕材料层至完全暴露出该些间隙壁的上部。如申请专利范围第15项所述之硬罩幕层的制作方法，其中该硬罩幕材料层与该些图案化罩幕层以及该硬罩幕材料层与该些间隙壁具有不同之蚀刻选择性。如申请专利范围第15项所述之硬罩幕层的制作方法，其中该硬罩幕材料层的材料包括硼磷矽玻璃。如申请专利范围第15项所述之硬罩幕层的制作方法，其中该些图案化罩幕层的材料包括多晶矽。如申请专利范围第15项所述之硬罩幕层的制作方法，其中该些间隙壁的材料包括氮化矽。 |
